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1. (WO2009137604) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À L'AIDE D'UNE ESPÈCE AMÉLIORANT UNE SÉPARATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/137604    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/043019
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 06.05.2009
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : ASTROWATT, INC. [US/US]; 16900 Willow Oak Lane Round Rock, TX 78681 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MATHEW, Leo; (US).
JAWARANI, Dharmesh; (US)
Mandataire : MEYER, George, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/050,696 06.05.2008 US
12/435,942 05.05.2009 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING AN ELECTRONIC DEVICE USING A SEPARATION-ENHANCING SPECIES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À L'AIDE D'UNE ESPÈCE AMÉLIORANT UNE SÉPARATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an electronic device can include forming a metallic layer by an electrochemical process over a side of a substrate that includes a semiconductor material. The method can also include introducing a separation-enhancing species into the substrate at a distance from the side, and separating a semiconductor layer and the metallic layer from the substrate, wherein the semiconductor layer is a portion of the substrate. In a particular embodiment, the separation-enhancing species can be incorporated into a metallic layer and moved into the substrate, and in particular embodiment, the separation-enhancing species can be implanted into the substrate. In still another embodiment, both the techniques can be used. In a further embodiment, a dual-sided process can be performed.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, qui peut comprendre la formation d'une couche métallique par un traitement électrochimique sur un côté d'un substrat qui comprend un matériau semi-conducteur. Le procédé peut également comprendre l'introduction d'une espèce améliorant une séparation à l'intérieur du substrat à une certaine distance du côté, et la séparation d'une couche semi-conductrice et d'une couche métallique à partir du substrat, la couche semi-conductrice étant une partie du substrat. Dans un mode de réalisation particulier, l'espèce améliorant une séparation peut être incorporée dans une couche métallique et déplacée à l'intérieur du substrat, et dans un mode de réalisation particulier, l'espèce améliorant une séparation peut être implantée à l'intérieur du substrat. Dans un autre mode de réalisation encore, les deux techniques peuvent être utilisées. Dans un autre mode de réalisation, un traitement bilatéral peut être réalisé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)