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1. (WO2009137241) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX DE NANOFILS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/137241    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/040552
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 14.04.2009
CIB :
G01N 33/53 (2006.01)
Déposants : BANDGAP ENGINEERING, INC. [US/US]; 6 Gill Street, Suite H Woburn, MA 01801 (US) (Tous Sauf US).
BUCHINE, Brent, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
MODAWAR, Faris [US/US]; (US) (US Seulement).
BLACK, Marcie, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BUCHINE, Brent, A.; (US).
MODAWAR, Faris; (US).
BLACK, Marcie, R.; (US)
Mandataire : ROSE, Flavio, M.; Irell & Manella LLP 1800 Avenue of the Stars Los Angeles, CA 90067 (US)
Données relatives à la priorité :
61/141,082 29.12.2008 US
61/044,573 14.04.2008 US
Titre (EN) PROCESS FOR FABRICATING NANOWIRE ARRAYS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX DE NANOFILS
Abrégé : front page image
(EN)A process is provided for etching a silicon-containing substrate to form nanowire arrays. In this process, one deposits nanoparticles and a metal film onto the substrate in such a way that the metal is present and touches silicon where etching is desired and is blocked from touching silicon or not present elsewhere. One submerges the metallized substrate into an etchant aqueous solution comprising HF and an oxidizing agent. In this way arrays of nanowires with controlled diameter and length are produced.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant la gravure d'un substrat contenant du silicium pour former des réseaux de nanofils. Selon ce procédé, des nanoparticules et un film métallique sont déposés sur le substrat de sorte que le métal soit présent et en contact avec le silicium où la gravure est souhaitée et ne puisse pas être en contact avec le silicium ni présent à tout autre endroit. Le substrat métallisé est immergé dans une solution aqueuse de gravure comportant de l'acide fluorhydrique et un agent oxydant. Ainsi on obtient des réseaux de nanofils de diamètre et longueur contrôlés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)