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1. (WO2009137200) AGENCEMENT DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP HAUTES PERFORMANCES, COMPATIBLE AVEC L'ÉLECTROMIGRATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/137200    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/039471
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 03.04.2009
CIB :
H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
GREENBERG, David, Ross [US/US]; (US) (US Seulement).
PLOUCHART, Jean-olivier [FR/US]; (US) (US Seulement).
VALDES-GARCIA, Alberto [MX/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GREENBERG, David, Ross; (US).
PLOUCHART, Jean-olivier; (US).
VALDES-GARCIA, Alberto; (US)
Mandataire : LEWIS, William, E.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/116,470 07.05.2008 US
Titre (EN) ELECTROMIGRATION-COMPLIANT HIGH PERFORMANCE FET LAYOUT
(FR) AGENCEMENT DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP HAUTES PERFORMANCES, COMPATIBLE AVEC L'ÉLECTROMIGRATION
Abrégé : front page image
(EN)An electrical contact structure distributes current along a length thereof. The electrical contact structure includes a plurality of n metal rectangles on n levels of metal. The rectangle on one metal level is at least as wide in width and vertically covers in width the rectangle on the metal level immediately below. The rectangle on one metal level is shorter in length than and substantially aligned at a first end with the rectangle on the metal level immediately below. Rectangle first ends are substantially aligned. Features of an exemplary FET transistor of this invention are a source and drain terminal electrical contact structure, a multi-level metal ring connecting gate rectangles on both ends, and a wider-than-minimum gate-to-gate spacing. The invention is useful, for example, in an electromigration-compliant, high performance transistor.
(FR)Une structure de contact électrique distribue le courant le long d'une longueur de celle-ci. La structure de contact électrique comprend une pluralité de n rectangles de métal sur n niveaux de métal. Le rectangle sur un niveau de métal est au moins aussi grand en largeur et couvre verticalement en largeur le rectangle sur le niveau de métal immédiatement inférieur. Le rectangle sur un niveau de métal est plus court en longueur et sensiblement aligné à une première extrémité avec le rectangle sur le niveau de métal immédiatement inférieur. Les premières extrémités du rectangle sont sensiblement alignées. Les caractéristiques d'un transistor à effet de champ exemplaire selon la présente invention concernent une structure de contact électrique à borne de source et de drain, une bague métallique à plusieurs niveaux reliant les rectangles de grille aux deux extrémités, et un espacement de grille à grille plus large que le minimum. L'invention est utile, par exemple, dans un transistor hautes performances compatible avec l'électromigration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)