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1. (WO2009137160) COMMANDE DE PUISSANCE AVEC UN RÉSEAU DE SORTIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/137160    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036480
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 09.03.2009
CIB :
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/20 (2006.01)
Déposants : JAVELIN SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 4635 Boston Lane, Ste. 200 Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
BOCKELMAN, David E. [US/US]; (US) (US Seulement).
SRINIVASAN, Vishnu [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOCKELMAN, David E.; (US).
SRINIVASAN, Vishnu; (US)
Mandataire : ROZMAN, Mark, J.; TROP, PRUNER & HU, P.C. 1616 S. Voss Rd., Ste. 750 Houston, Texas 77057-2631 (US)
Données relatives à la priorité :
12/151,199 05.05.2008 US
Titre (EN) CONTROLLING POWER WITH AN OUTPUT NETWORK
(FR) COMMANDE DE PUISSANCE AVEC UN RÉSEAU DE SORTIE
Abrégé : front page image
(EN)In one embodiment, the present invention includes multiple gain stages and an output network coupled to the gain stages. Each of the gain stages can be independently controlled to amplify a radio frequency (RF) signal to an output power level for transmission from a mobile wireless device. When controlled to be inactive, at least one of the gain stages can be placed into a low impedance state.
(FR)Dans un mode de réalisation, la présente invention comprend de multiples étages de gain et un réseau de sortie couplé aux étages de gain. Chacun des étages de gain peut être indépendamment commandé pour amplifier un signal de radiofréquence (RF) à un niveau de puissance de sortie à des fins de transmission depuis un dispositif sans fil mobile. Lorsqu’il est commandé pour être inactif, au moins l’un des étages de gain peut être placé dans un état de faible impédance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)