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1. (WO2009136913) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR UN LASER À MICRO-ANNEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136913    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/062791
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 06.05.2008
CIB :
H01S 3/083 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US) (Tous Sauf US).
XU, Qianfan [CN/US]; (US) (US Seulement).
FIORENTINO, Marco [IT/US]; (US) (US Seulement).
BEAUSOLEIL, Raymond G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Qianfan; (US).
FIORENTINO, Marco; (US).
BEAUSOLEIL, Raymond G.; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration P.O. Box 272400 Mailstop 35 Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR A MICRO RING LASER
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR UN LASER À MICRO-ANNEAU
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for an electrically pumped laser system is disclosed. The system includes a silicon micro-ring resonator. A quantum well formed of a III-V group semiconductor material is optically coupled with the micro-ring resonator to provide optical gain. A trapezoidal shaped buffer formed of a III-V group semiconductor material and doped with a first type of carrier is optically coupled to the quantum well. A ring electrode is coupled to the trapezoidal shaped buffer. The trapezoidal shaped buffer enables the ring electrode to be substantially isolated from an optical mode of the micro-ring resonator.
(FR)L’invention concerne un système et un procédé pour un système laser à pompage électrique. Le système comprend un résonateur à micro-anneau en silicium. Un puits quantique formé d’un matériau semiconducteur du groupe III-V est couplé optiquement avec le résonateur à micro-anneau pour réaliser le gain optique. Un tampon de forme trapézoïdale formé d’un matériau semiconducteur du groupe III-V et dopé avec un premier type de porteuse est couplé optiquement au puits quantique. Une électrode en anneau est couplée au tampon de forme trapézoïdale. Le tampon de forme trapézoïdale permet à l’électrode en anneau d’être sensiblement isolée d’un mode optique du résonateur à micro-anneau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)