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1. (WO2009136665) APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SYSTÈME D’IMAGERIE L’UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136665    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/059021
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 08.05.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/341 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Yuichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Yuichiro; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-123439 09.05.2008 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION APPARATUS AND IMAGING SYSTEM USING THE SAME
(FR) APPAREIL DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SYSTÈME D’IMAGERIE L’UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion apparatus includes: a first semiconductor region forming a part of a photoelectric conversion element; a second semiconductor region stacked on the first semiconductor region, and forming a part of the photoelectric conversion element; a third semiconductor region to which a signal charge transferred from the photoelectric conversion element; a fourth semiconductor region of the first conductivity type having an higher impurity concentration, between the first and third semiconductor region and between the second and third semiconductor regions, closer to a main surface than the first semiconductor region, and connected to the first semiconductor region; a first gate electrode over the fourth semiconductor region, an insulating film on the main surface and between the first gate electrode and the fourth semiconductor region; and a second gate electrode between the third and fourth semiconductor regions, and over the insulating film.
(FR)L'invention concerne un appareil de conversion photoélectrique comprenant : une première région semiconductrice faisant partie d’un élément de conversion photoélectrique ; une deuxième région semiconductrice superposée à la première région semiconductrice et faisant partie de l’élément de conversion photoélectrique ; une troisième région semiconductrice à laquelle est transférée une charge de signal provenant de l’élément de conversion photoélectrique ; une quatrième région semiconductrice du premier type de conductivité présentant une concentration plus élevée en impuretés, située entre la première et la troisième région semiconductrice et entre la deuxième et la troisième région semiconductrice, plus proche d’une surface principale que ne l’est la première région semiconductrice, et reliée à la première région semiconductrice ; une première électrode de grille placée au-dessus de la quatrième région semiconductrice, un film isolant placé sur la surface principale et entre la première électrode de grille et la quatrième région semiconductrice ; et une deuxième électrode de grille placée entre la troisième et la quatrième région semiconductrice et au-dessus du film isolant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)