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1. (WO2009136558) AGENT DE GRAVURE DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136558    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058164
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 24.04.2009
CIB :
H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (Tous Sauf US).
YAGUCHI, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SOTOAKA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAGUCHI, Kazuyoshi; (JP).
SOTOAKA, Ryuji; (JP)
Mandataire : OHTANI, Tamotsu; OHTANI PATENT OFFICE, Bridgestone Toranomon Bldg. 6F., 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-122942 09.05.2008 JP
Titre (EN) SILICON ETCHANT AND ETCHING METHOD
(FR) AGENT DE GRAVURE DU SILICIUM ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) シリコンエッチング液およびエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an etchant having long life, which is suppressed in decrease of etching rate when heated, that is characteristic to etchants containing a hydroxylamine, during etching of silicon, especially during anisotropic etching of silicon in a production process of an MEMS component. An etching method is also disclosed. The silicon etchant is an alkaline aqueous solution containing an alkali metal hydroxide, a hydroxylamine and an inorganic carbonate compound and having a pH of not less than 12, which is characterized by anisotropically dissolving single-crystal silicon. A method for etching silicon by using the etchant is also disclosed.
(FR)L’invention concerne un agent de gravure de longue durée de vie, dont la diminution du taux de gravure lors du chauffage, qui est caractéristique des agents de gravure contenant une hydroxylamine, est supprimée pendant la gravure du silicium, notamment pendant la gravure anisotrope du silicium lors d’un procédé de fabrication d’un composant MEMS. L’invention concerne également un procédé de gravure. L’agent de gravure du silicium est une solution aqueuse alcaline contenant un hydroxyde de métal alcalin, une hydroxylamine et un composé de carbonate inorganique, et ayant un pH supérieur ou égal à 12, qui est caractérisée par la dissolution anisotrope du silicium monocristallin. L’invention concerne également un procédé de gravure du silicium utilisant l’agent de gravure.
(JA) シリコンのエッチング加工、特にMEMS部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミンを含有するエッチング液に特有な加温時のエッチング速度の低下を抑制することによって、エッチング液寿命の長いエッチング液およびエッチング方法を提供する。  アルカリ金属水酸化物とヒドロキシルアミンと無機炭酸化合物を含有したpH12以上のアルカリ性水溶液であって、単結晶シリコンを異方性に溶解することを特徴としたシリコンエッチング液、かつ該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)