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1. (WO2009136530) SUBSTRAT POUR CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136530    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/057260
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 09.04.2009
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : MURATA, Masayoshi [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : MURATA, Masayoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-120880 07.05.2008 JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR THIN FILM SOLAR CELL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND THIN FILM SOLAR CELL USING THE SAME
(FR) SUBSTRAT POUR CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE L'UTILISANT
(JA) 薄膜太陽電池用基板及びその製造方法、並びにそれを用いた薄膜太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)Substrates (transparent electrodes) for thin film solar cells produced by conventional thermal CVD methods or MOCVD methods have problems such as high cost and poor electrical and optical performance. Disclosed are novel method and apparatus using high-frequency plasma CVD, which enable formation of a large film having good electrical and optical properties, while using a low-cost organic metal material as a starting material. A low-cost, highly conductive, highly light-transmitting substrate for thin film solar cells, which has light trapping effect (a projected and recessed structure), can be obtained by forming a transparent electrode film having a two-layer structure composed of a crystalline titanium oxide film and a crystalline zinc oxide film on a transparent insulating substrate by a high-frequency plasma CVD apparatus using an organic metal material as a starting material. Incidentally, a sputtering apparatus can be used for producing the crystalline zinc oxide film.
(FR)Selon l’invention, les substrats (électrodes transparentes) pour cellules solaires en couche mince produits par des procédés CVD thermiques ou des procédés MOCDV classiques connaissent des problèmes tels qu'un coût élevé et une efficacité électrique et optique médiocre. L'invention porte sur un nouveau procédé et un nouvel appareil qui utilise un dépôt chimique en phase vapeur (CVD) assisté par plasma haute fréquence, ce qui permet la fabrication d'un grand film possédant de bonnes propriétés électriques et optiques, tout en utilisant un matériau organométallique de faible coût en tant que matériau de départ. Un substrat à transmission de lumière élevée, extrêmement conducteur et de faible coût pour cellules solaires en couche mince, qui a un effet de piégeage de lumière (une structure à saillies et renfoncements), peut être obtenu par la fabrication d'un film d'électrode transparente ayant une structure à deux couches composée d'un film d'oxyde de titane cristallin et d'un film d'oxyde de zinc cristallin sur un substrat isolant transparent par un appareil de CVD assisté par plasma haute fréquence utilisant un matériau organométallique en tant que matériau de départ. Incidemment, un appareil de pulvérisation cathodique peut être utilisé pour la production du film d'oxyde de zinc cristallin.
(JA) 従来の熱CVD法あるいはMOCVD法で製造される薄膜太陽電池用基板(透明電極)はコストが高く、かつ、電気的及び光学的性能が良くないという課題がある。ここでは、電気的及び光学的に高品質で、且つ、大面積の製膜が可能で、且つ、安価な有機金属材料を原料に使うことが可能な高周波プラズマCVD技術を用いた新しい方法及び装置を創出し、それに関する技術を提供することを目的とする。透明性絶縁基板の上に、有機金属材料を原料とする高周波プラズマCVD装置により結晶質酸化チタン膜と結晶質酸化亜鉛膜の2層構造からなる透明電極膜を製膜することにより、安価で、且つ、光閉じ込め効果(膜の凹凸構造)を有し、高導電性で高光透過性の薄膜太陽電池用基板を得ることが可能である。また、該結晶質酸化亜鉛膜の製造において、スパッタ装置を活用することも可能である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)