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1. (WO2009136019) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/136019    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/000479
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 22.04.2009
CIB :
C23C 16/455 (2006.01)
Déposants : ALTATECH SEMICONDUCTOR [FR/FR]; 611, rue Aristide Bergès F-38330 Montbonnot-Saint-Martin (FR) (Tous Sauf US).
BOREAN, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DELCARRI, Jean-Luc [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BOREAN, Christophe; (FR).
DELCARRI, Jean-Luc; (FR)
Mandataire : DE KERNIER, Gabriel; Cabinet Netter 36, avenue Hoche F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
0802375 28.04.2008 FR
Titre (EN) DEVICE AND PROCESS FOR CHEMICAL VAPOR PHASE TREATMENT
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)Device (1) for treating substrates, comprising a chamber (4) having controlled pressure and temperature, a substrate holder (5) positioned in the chamber (4), the chamber (4) comprising a gas inlet for carrying out a vapor phase deposition, and an upper wall (30) of the chamber equipped with a plurality of first channels (45) connected to a first inlet (11) and a plurality of second channels (37) connected to a second inlet (12), the first and second channels opening into the chamber (4) and being evenly distributed in the upper wall (30), a heating element (14) positioned above the upper wall (30) and a gas discharge ring (49) positioned between the upper wall (30) and the substrate holder (5), the upper wall (30) being electrically conducting and insulated relative to the substrate holder (5) so as to be able to apply a voltage between the upper wall (30) and the substrate holder (5).
(FR)Dispositif de traitement (1) de substrats, comprenant une chambre (4) à pression et température contrôlées, un support (5) de substrat disposé dans la chambre (4), la chambre (4) comprenant une entrée de gaz pour réaliser un dépôt en phase vapeur, et une paroi supérieure (30) de chambre munie d'une pluralité de premiers canaux (45) reliés à une première entrée (11) et une pluralité de deuxièmes canaux (37) reliés à une deuxième entrée (12), les premiers et deuxièmes canaux débouchant dans la chambre (4) et étant répartis régulièrement dans la paroi supérieure (30), un élément de chauffage (14) disposé au-dessus de la paroi supérieure (30), et un anneau (49) d' évacuation de gaz disposé entre la paroi supérieure (30) et le support (5) de substrat, la paroi supérieure (30) étant conductrice électriquement et isolée par rapport au support (5) de substrat de façon à pouvoir appliquer une tension entre la paroi supérieure (30) et le support (5) de substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)