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1. (WO2009135800) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE TRANCHES PAR COLLAGE MOLÉCULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/135800    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/055251
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 30.04.2009
CIB :
H01L 21/18 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/98 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
BROEKAART, Marcel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ASPAR, Bernard [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LAGAHE, Chrystelle [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BARGE, Thierry [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BROEKAART, Marcel; (FR).
ASPAR, Bernard; (FR).
LAGAHE, Chrystelle; (FR).
BARGE, Thierry; (FR)
Mandataire : DESORMIERE, Pierre-Louis; (FR)
Données relatives à la priorité :
0852990 06.05.2008 FR
Titre (EN) A METHOD OF ASSEMBLING WAFERS BY MOLECULAR BONDING
(FR) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE DE TRANCHES PAR COLLAGE MOLÉCULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method of bonding two wafers (20, 30) by molecular bonding in which a first propagation of a bonding wave initiated from a point of pressure (43) applied to at least one (30) of the two wafers is followed by a second propagation of the bonding wave over a zone covering the point of pressure (43). The second bonding wave propagation may be obtained by interposing a separating element (41) between the two wafers and by withdrawing the element at least after the start of the first bonding wave propagation or by partially unbonding the surfaces of the assembled wafers over a zone located in the vicinity of the point of pressure (63).
(FR)L'invention concerne un procédé de collage de deux tranches (20, 30) par collage moléculaire. Une propagation d'une première onde de collage initiée à partir d'un point de pression (43) appliquée à au moins l'une (30) des deux tranches est suivie par une propagation de la seconde onde de collage sur une zone couvrant le point de pression (43). La propagation de la seconde onde de collage peut être obtenue en intercalant un élément de séparation (41) entre les deux tranches et en retirant l'élément au moins après le début de la propagation de la première onde de collage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)