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1. (WO2009135349) DÉTECTEUR À SEMICONDUCTEUR ET APPAREIL D’IMAGERIE POUR LA MESURE DES RAYONNEMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/135349    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/002054
Date de publication : 12.11.2009 Date de dépôt international : 24.12.2008
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01), H05G 1/64 (2006.01)
Déposants : NUCTECH COMPANY LIMITED [CN/CN]; 2nd Floor, Block A TongFang Building Shuangqinglu Haidian District Beijing 100084 (CN) (Tous Sauf US).
TSINGHUA UNIVERSITY [CN/CN]; Haidian District Beijing 100084 (CN) (Tous Sauf US).
ZHANG, Lan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LI, Yuanjing [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LI, Yulan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU, Yinong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHAO, Ziran [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHANG, Li [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WU, Wanlong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHU, Weibin [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZHENG, Xiaocui [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YAO, Nan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
DENG, Zhi [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : ZHANG, Lan; (CN).
LI, Yuanjing; (CN).
LI, Yulan; (CN).
LIU, Yinong; (CN).
ZHAO, Ziran; (CN).
ZHANG, Li; (CN).
WU, Wanlong; (CN).
ZHU, Weibin; (CN).
ZHENG, Xiaocui; (CN).
YAO, Nan; (CN).
DENG, Zhi; (CN)
Mandataire : CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.; 25/F., Bldg. B, Tsinghua Tongfang Hi-Tech Plaza, No. 1 Wangzhuang Rd., Haidain District, Beijing 100083 (CN)
Données relatives à la priorité :
200810106279.6 09.05.2008 CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DETECTOR AND IMAGING APPARATUS FOR RADIATION MEASURING
(FR) DÉTECTEUR À SEMICONDUCTEUR ET APPAREIL D’IMAGERIE POUR LA MESURE DES RAYONNEMENTS
(ZH) 用于测量辐射的半导体探测器及成像装置
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor detector and an imaging apparatus for radiation measuring, wherein the semiconductor detector includes: a semiconductor medium, which can absorb at least one energy band of radiation to be measured; an anode and a cathode, which are respectively formed on the opposite surfaces of the semiconductor medium; and a signal-processing circuit, which connects with the said anode and cathode. The said semiconductor medium receives the radiation with which parallel the surface of the electrodes, and the said anode and cathode are divided into separated sub-electrode pairs according to the incident direction of the radiation, thus to measure the energy accumulation of the corresponding radiation energy band.
(FR)Détecteur à semiconducteur et appareil d’imagerie pour la mesure des rayonnements, le détecteur à semiconducteur comprenant : un milieu semiconducteur capable d’absorber au moins une bande d’énergie d’un rayonnement à mesurer ; une anode et une cathode formées respectivement sur les surfaces opposées du milieu semiconducteur ; et un circuit de traitement de signaux relié à ladite anode et à ladite cathode. Ledit milieu semiconducteur reçoit le rayonnement qui est parallèle à la surface des électrodes, ladite anode et ladite cathode étant divisées en paires séparées de sous-électrodes suivant la direction incidente du rayonnement, de façon à mesurer l’énergie cumulée de la bande d’énergie considérée du rayonnement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)