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1. (WO2009135228) PROCÉDÉS ET CIRCUITS POUR UNE DÉTECTION DE ZONE DE TRIODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/135228    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/048769
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 26.06.2009
CIB :
G05F 3/02 (2006.01)
Déposants : MSILICA INCORPORATED [US/US]; 2901 Tasman Drive, Suite 203 Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
SANTO, Hendrik [US/US]; (US) (US Seulement).
VI, Klen [US/US]; (US) (US Seulement).
S, Dilip [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SANTO, Hendrik; (US).
VI, Klen; (US).
S, Dilip; (US)
Mandataire : TUROCY, Greg; (US)
Données relatives à la priorité :
12/111,114 28.04.2008 US
Titre (EN) METHODS AND CIRCUITS FOR TRIODE REGION DETECTION
(FR) PROCÉDÉS ET CIRCUITS POUR UNE DÉTECTION DE ZONE DE TRIODE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to circuits and methods for detecting transistor operation in the triode region including a circuit for a transistor in a constant current source. The circuit comprises a detector having a first input, a second input, and an output. The first input of the detector is coupled to the source of the transistor and the second input of the detector is coupled to the set point terminal of the constant current source. The circuit also comprises a flag coupled to the detector output. The detector has parameters selected so that, when the voltage at the source of the transistor satisfies a reference condition, the output of the detector sets the flag. The reference condition is established relative to the voltage at the set point terminal of the constant current source and relative to the triode transition voltage of the transistor at a selected drain-source current.
(FR)L'invention concerne des circuits et des procédés pour détecter une opération de transistor dans la zone de triode comprenant un circuit pour un transistor dans une source de courant constante. Le circuit comprend un détecteur ayant une première entrée, une seconde entrée, et une sortie. La première entrée du détecteur est couplée à la source du transistor et la seconde entrée du détecteur est couplée à la borne de point de consigne de la source de courant constante. Le circuit comprend également un indicateur couplé à la sortie de détecteur. Le détecteur a des paramètres sélectionnés de sorte que, lorsque la tension au niveau de la source du transistor répond à une condition de référence, la sortie du détecteur règle l'indicateur. La condition de référence est établie par rapport à la tension au niveau de la borne de point de consigne de la source de courant constante et par rapport à la tension de transition de triode du transistor à un courant drain-source sélectionné.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)