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1. (WO2009135188) STRUCTURE DE DEL POUR AUGMENTER LA LUMINOSITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/135188    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/042624
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 01.05.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2010    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : BRIDGELUX, INC. [US/US]; 1170 Sonora Court Sunnyvale, CA 94086 (US) (Tous Sauf US).
SHUM, Frank [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHUM, Frank; (US)
Mandataire : GELFOUND, Craig, A.; Arent Fox, LLP 555 West Fifth Street 48th Floor Los Angeles, CA 90013-1065 (US)
Données relatives à la priorité :
61/049,612 01.05.2008 US
12/183,020 30.07.2008 US
Titre (EN) LED STRUCTURE TO INCREASE BRIGHTNESS
(FR) STRUCTURE DE DEL POUR AUGMENTER LA LUMINOSITÉ
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting semiconductor device comprising an LEO having an emission aperture located on a surface of the LED wherein the emission aperture has a size that is smaller than a surface area of the LED where the emission aperture is formed. The device further includes a reflector surrounding both side walls, a bottom surface, and portions of a surface of the LED where the emission aperture is formed or surrounding the bottom surface and portions of the surface of the LED where the emission aperture is formed so that an area on the surface uncovered by the reflector is the emission aperture and is smaller than the area of the LED.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs électroluminescent comprenant une DEL ayant une ouverture d'émission située sur une surface de la DEL, et l'ouverture d'émission ayant une taille qui est plus petite qu'une surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée. Le dispositif comprend en outre un réflecteur entourant les deux parois latérales, une surface inférieure, et des parties d'une surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée ou entourant la surface inférieure, et des parties de la surface de la DEL où l'ouverture d'émission est formée de sorte qu'une zone sur la surface non couverte par le réflecteur est l'ouverture d'émission et est plus petite que la zone de la DEL. En variante, dans le semi-conducteur électroluminescent, la surface de la DEL sensiblement alignée avec l'ouverture d'émission peut être rendue rugueuse et la surface de la DEL au delà de l'ouverture d'émission peut être lisse. La surface de la DEL au delà de l'ouverture d'émission peut également être couverte d'un réflecteur à faible perte.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)