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1. (WO2009135111) DÉTECTION DE DÉFAUTS POUR CHARGEURS DE BATTERIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/135111    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/042499
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 01.05.2009
CIB :
H02J 7/00 (2006.01)
Déposants : SYMBOL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; Att: Patent Administrator 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196 (US) (Tous Sauf US).
CORDES, Kevin [US/US]; (US) (US Seulement).
PAUL, Christopher, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
RIVALSI, Kenneth, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
RIECHEL, Patrick [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CORDES, Kevin; (US).
PAUL, Christopher, R.; (US).
RIVALSI, Kenneth, J.; (US).
RIECHEL, Patrick; (US)
Mandataire : GIANNETTA, Michael; (US)
Données relatives à la priorité :
12/113,278 01.05.2008 US
Titre (EN) FAULT DETECTION FOR BATTERY CHARGERS
(FR) DÉTECTION DE DÉFAUTS POUR CHARGEURS DE BATTERIES
Abrégé : front page image
(EN)A method of fault detection for battery chargers includes sensing a charge current applied to a battery with a resistive element. The method includes measuring a voltage across the resistive element. The method includes generating a trigger signal when the measured voltage across the resistive element exceeds a predetermined value. The method includes generating from the trigger signal an interrupt signal for a microprocessor. The method includes initiating an over-current handling routine in the microprocessor.
(FR)L’invention concerne un procédé de détection de défauts pour les chargeurs de batteries. Ce procédé consiste à détecter un courant de charge appliqué à une batterie à l’aide d’un élément résistif, mesurer la tension qui traverse ledit élément résistif, produire un signal de déclenchement lorsque la tension de cet élément résistif dépasse une valeur prédéterminée, produire un signal d’interruption destiné à un microprocesseur à partir dudit signal de déclenchement, et lancer une routine de traitement des surintensités dans ledit microprocesseur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)