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1. (WO2009134603) CELLULE DE MÉMOIRE UTILISANT UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À RÉSISTANCE RÉVERSIBLE À NANOTUBE DE CARBONE SÉLECTIVEMENT FABRIQUÉ FORMÉ SUR UN CONDUCTEUR INFÉRIEUR ET SES PROCÉDÉS DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134603    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/040131
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 09.04.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
SCHRICKER, April, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SCHRICKER, April, D.; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; Dugan & Dugan, PC 245 Saw Mill River Road Suite 309 Hawthorne, NY 10532 (US)
Données relatives à la priorité :
61/044,414 11.04.2008 US
12/410,789 25.03.2009 US
Titre (EN) MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT FORMED OVER A BOTTOM CONDUCTOR AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE UTILISANT UN ÉLÉMENT DE COMMUTATION À RÉSISTANCE RÉVERSIBLE À NANOTUBE DE CARBONE SÉLECTIVEMENT FABRIQUÉ FORMÉ SUR UN CONDUCTEUR INFÉRIEUR ET SES PROCÉDÉS DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)In some aspects, a method of fabricating a memory cell is provided that includes: (1) fabricating a first conductor above a substrate; (2) selectively fabricating a carbon nano-tube ("CNT") material above the first conductor by: (a) fabricating a CNT seeding layer on the first conductor, wherein the CNT seeding layer comprises silicon-germanium ("Si/Ge"), (b) planarizing a surface of the deposited CNT seeding layer, and (c) selectively fabricating CNT material on the CNT seeding layer; (3) fabricating a diode above the CNT material; and (4) fabricating a second conductor above the diode. Numerous other aspects are provided.
(FR)L'invention se rapporte, selon certains aspects, à un procédé de fabrication d'une cellule de mémoire qui consiste : (1) à fabriquer un premier conducteur au-dessus d'un substrat; (2) à fabriquer sélectivement un matériau de nanotube de carbone (« CNT ») au-dessus du premier conducteur par : (a) fabrication d'une couche d'ensemencement de CNT sur le premier conducteur, la couche d'ensemencement de CNT comprenant du silicium-germanium (« Si/Ge »), (b) planarisation d'une surface de la couche d'ensemencement de CNT déposée et (c) fabrication sélective de matériau CNT sur la couche d'ensemencement de CNT; (3) à fabriquer une diode au-dessus du matériau de CNT; et (4) à fabriquer un second conducteur au-dessus de la diode. De nombreux autres aspects sont décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)