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1. (WO2009134588) PLAQUE FRONTALE NON PLANE POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134588    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/039674
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 06.04.2009
CIB :
H05H 1/34 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
ZHOU, Jianhua [CN/US]; (US) (US Seulement).
PADHI, Deenesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
JANAKIRAMAN, Karthik [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHENG, Siu, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
YU, Hang [US/US]; (US) (US Seulement).
SARIPALLI, Yoganand, N. [IN/US]; (US) (US Seulement).
SUMMAN, Tersem [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHOU, Jianhua; (US).
PADHI, Deenesh; (US).
JANAKIRAMAN, Karthik; (US).
CHENG, Siu, F.; (US).
YU, Hang; (US).
SARIPALLI, Yoganand, N.; (US).
SUMMAN, Tersem; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/110,879 28.04.2008 US
Titre (EN) NONPLANAR FACEPLATE FOR A PLASMA PROCESSING CHAMBER
(FR) PLAQUE FRONTALE NON PLANE POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for adjust local plasma density during a plasma process. One embodiment provides an electrode assembly comprising a conductive faceplate having a nonplanar surface. The nonplanar surface is configured to face a substrate during processing and the conductive faceplate is disposed so that the nonplanar surface is opposing a substrate support having an electrode. The conductive faceplate and the substrate support form a plasma volume. The nonplanar surface is configured to adjust electric field between the conductive faceplate and the electrode by varying a distance between the conductive faceplate and the electrode.
(FR)L'invention porte sur un procédé et un appareil pour ajuster une densité de plasma locale durant un traitement par plasma. Un mode de réalisation porte sur un ensemble électrode comprenant une plaque frontale conductrice ayant une surface non plane. La surface non plane est configurée pour faire face à un substrat durant un traitement et la plaque frontale conductrice est agencée de telle manière que la surface non plane est opposée à un support de substrat comprenant une électrode. La plaque frontale conductrice et le support de substrat forment un volume de plasma. La surface non plane est configurée pour ajuster un champ électrique entre la plaque frontale conductrice et l'électrode par modification d'une distance entre la plaque frontale conductrice et l'électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)