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1. (WO2009134527) PROCÉDÉS ET SYSTÈMES DE FLUORESCENCE, CHIMIOLUMINESCENCE OU BIOLUMINESCENCE À DÉCLENCHEMENT PAR UNE TENSION ET AMÉLIORATION PAR MÉTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134527    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035620
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 01.03.2009
CIB :
G01N 21/76 (2006.01), G01N 21/64 (2006.01), G01N 27/26 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF MARYLAND, BALTIMORE COUNTY [US/US]; Office of Technology Development 5523 Research Park drive, Suite 310 Baltimore, MD 21228 (US) (Tous Sauf US).
GEDDES, Chris, D. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GEDDES, Chris, D.; (US)
Mandataire : FUIERER, Marianne; Moore & Van Allen, PLLC P.O. Box 13706 Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
61/033,231 03.03.2008 US
Titre (EN) VOLTAGE-GATED METAL-ENHANCED FLUORESCENCE, CHEMILUMINESCENCE OR BIOLUMINESCENCE METHODS AND SYSTEMS
(FR) PROCÉDÉS ET SYSTÈMES DE FLUORESCENCE, CHIMIOLUMINESCENCE OU BIOLUMINESCENCE À DÉCLENCHEMENT PAR UNE TENSION ET AMÉLIORATION PAR MÉTAL
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, it is demonstrated for the first time, the influence of electrical current on the ability of surface plasmons to amplify fluorescence signatures. An applied direct current across silver island films (SiFs) of low electrical resistance perturbs the fluorescence enhancement of close-proximity fluorophores. For a given applied current, surface plasmons in "just-continuous" low resistance films are sparsely available for fluorophore dipole coupling and hence the enhanced fluorescence is gated as a function of the applied current.
(FR)La présente invention démontre pour la première fois l’influence du courant électrique sur l’aptitude des plasmons de surface à amplifier les signatures de fluorescence. Un courant continu appliqué à travers des films à îlot d’argent (SiFs) de faible résistance électrique perturbe l’amélioration de la fluorescence des fluorophores à proximité immédiate. Pour un courant appliqué donné, les plasmons de surface dans les films à faible résistance « juste continus » sont disponibles de manière clairsemée pour le couplage à dipôle des fluorophores et la fluorescence améliorée est ainsi déclenchée en fonction du courant appliqué.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)