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1. (WO2009134448) COUCHE DE MÉTALLISATION CONTINUE OU DISCONTINUE SUR UN SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134448    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/002724
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 30.04.2009
CIB :
C04B 37/02 (2006.01)
Déposants : SELEZNEV, Maxim [US/US]; (US)
Inventeurs : SELEZNEV, Maxim; (US)
Mandataire : SELEZNEV, Maxim; (US)
Données relatives à la priorité :
61/126,158 01.05.2008 US
Titre (EN) CONTINUOUS OR DISCRETE METALLIZATION LAYER ON A CERAMIC SUBSTRATE
(FR) COUCHE DE MÉTALLISATION CONTINUE OU DISCONTINUE SUR UN SUBSTRAT EN CÉRAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Surface metallization technology for ceramic substrates is disclosed herein. It makes use of a known phenomenon that many metal - metal oxide alloys in liquid state readily wet an oxide ceramic surface and strongly bond to it upon solidification. To achieve high adhesion strength of a metallization to ceramic, a discrete metallization layer consisting of metal droplets bonded to ceramic surface using metal - metal oxide bonding process is produced first. Next, a continuous metal layer is deposited on top of the discrete layer and bonded to it using a sintering process. As a result a strongly adhering, glass-free metallization layer directly bonded to ceramic surface is produced. In particular, the process can be successfully used to metallize aluminum nitride ceramic with high theπnal and electrical conductivity copper metal.
(FR)La présente invention concerne une technologie de métallisation de surfaces destinée à des substrats en céramique. Elle utilise un phénomène connu, selon lequel beaucoup d’alliages de métaux – oxydes de métaux à l'état liquide mouillent facilement une surface en céramique à base d'oxyde et s’y lient fortement après solidification. Afin d'obtenir une force d’adhésion élevée d’une métallisation à la céramique, on produit en premier lieu une couche de métallisation discontinue consistant en des gouttelettes de métal liées à la surface en céramique en utilisant un procédé de liaison d’un métal – oxyde de métal. Ensuite, une couche métallique continue est déposée au-dessus de la couche discontinue et liée à celle-ci en utilisant un procédé de frittage. Il en résulte la production d’une couche de métallisation exempte de verre, adhérant fortement, liée directement à la surface en céramique. En particulier, le procédé peut être utilisé avec succès pour métalliser une céramique de nitrure d’aluminium avec du cuivre métallique ayant une conductivité thermique et électrique élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)