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1. (WO2009134328) PROCÉDÉS DE FORMATION D'ÉLECTRODES DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134328    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/002443
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 20.04.2009
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Déposants : OVONYX, INC. [US/US]; 2956 Waterview Drive Rochester Hills, MI 48309 (US) (Tous Sauf US).
LOWREY, Tyler, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LOWREY, Tyler, A.; (US)
Mandataire : BRAY, Kevin, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/113,566 01.05.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMING ELECTRODES IN PHASE CHANGE MEMORY DEVICES
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION D'ÉLECTRODES DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À CHANGEMENT DE PHASE
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming electrode materials uniformly within openings having small dimensions, including sublithographic dimensions, or high aspect ratios. The method includes the steps of providing an insulator layer having an opening formed therein, forming a non-conformal conductive or semiresistive material over and within the opening, and mobilizing the conductive material to densify it within the opening. The method reduces the concentration of voids or defects in the conductive or semiresistive material relative to the as- deposited state. The mobilizing step may be accomplished by extrusion or thermal reflow and causes voids or defects to coalesce, collapse, percolate, or otherwise be removed from the as-deposited conductive or semiresistive material.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de matériaux d'électrodes de manière uniforme à l'intérieur d'ouvertures de petites dimensions, y compris des dimensions sublilithographiques, ou de rapports de formes élevés. Le procédé consiste à fournir une couche isolante sur laquelle on forme une ouverture, à former un matériau conducteur non conforme ou semi-résistif sur l'ouverture et à l'intérieur de celle-ci, et à mobiliser le matériau conducteur pour le densifier à l'intérieur de l'ouverture. Le procédé permet de réduire la concentration de vides ou de défauts dans le matériau conducteur ou semi-résistif par rapport à l'état tel que déposé. La mobilisation peut être réalisée par extrusion ou refusion thermique, les vides ou les défauts étant ainsi fusionnés, lixiviés ou éliminés du matériau conducteur ou semi-résistif tel que déposé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)