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1. (WO2009134089) DISPOSITIF MÉMOIRE SANS CONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134089    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/002284
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 30.04.2009
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY [KR/KR]; 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu Seoul 133-791 (KR) (Tous Sauf US).
PARK, Jea-Gun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SHIM, Tae-Hun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Gon-Sub [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Seong-Je [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Tae-Hyun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Jea-Gun; (KR).
SHIM, Tae-Hun; (KR).
LEE, Gon-Sub; (KR).
KIM, Seong-Je; (KR).
KIM, Tae-Hyun; (KR)
Mandataire : E-SANG PATENT & TRADEMARK LAW FIRM; 3F. Woodo Bldg. 82-2 Yangjae-dong, Seocho-gu Seoul 137-890 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0040888 30.04.2008 KR
Titre (EN) CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE SANS CONDENSATEUR
(KO) 무 커패시터 메모리 소자
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a capacitor-less memory device including a semiconductor substrate, an insulation layer positioned on the semiconductor substrate, a storage region formed in a partial area on the insulation layer, a channel region positioned on the storage region and which has a balance band energy difference from the storage region, a gate insulation film and a gate electrode sequentially formed on the channel region, and a source electrode and a drain electrode connected to the channel region and positioned at both side regions of the gate electrode. As described above, the storage region having a balance band energy different from that of the channel region is arranged below the channel region such that charges trapped in the storage region may not be easily escaped, thus increasing a charge retention period and enhancing an information storage capability.
(FR)La présente invention concerne un dispositif mémoire sans condensateur qui comprend un substrat semi-conducteur, une couche d'isolation positionnée sur le substrat semi-conducteur, une région de stockage formée dans une zone partielle sur la couche d'isolation, une région de canal positionnée sur la région de stockage et qui comprend une différence d'énergie de bande d'équilibre par rapport à la région de stockage, un film d'isolation de grille et une électrode de grille formés de manière séquentielle sur la région de canal, et une électrode source et une électrode drain connectées à la région de canal et positionnées sur les deux régions latérales de l'électrode de grille. Comme indiqué précédemment, la région de stockage présentant une énergie de bande d'équilibre différente de celle de la région de canal est disposée sous ladite région de canal de sorte que les charges piégées dans la région de stockage ne puissent s'en échapper facilement, ce qui permet d'augmenter la période de rétention de charge et d'améliorer la capacité de stockage d'informations.
(KO)본 발명은 무 커패시터 메모리 소자에 관한 것으로, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 위치한 절연층과, 상기 절연층 상의 일부 영역에 형성된 스토리지 영역과, 상기 스토리지 영역 상에 위치하고 상기 스토리지 영역과 밸런스 밴드 에너지 차를 갖는 채널 영역과, 상기 채널 영역 상에 순차적으로 형성된 게이트 절연막 및 게이트 전극 및 상기 채널 영역에 접속되고 상기 게이트 전극 양측 영역에 위치하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 무 커패시터 메모리 소자를 제공한다. 이와 같이 채널 영역부 하측에 채널 영역부와 밸런스 밴드 에너지가 상이한 스토리지 영역부를 두어 스토리지 영역부에 트랩된 전하가 쉽게 빠져나가지 못하도록 하여 전하의 보유 시간을 증가시켜 정보 저장능력을 향상시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)