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1. (WO2009134029) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134029    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/001993
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 16.04.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD [KR/KR]; 33Fl., LG Twin Tower West 20, Yeouidodong, Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LIM, Woo Sik; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0040747 30.04.2008 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)The embodiment of this invention relates to a semiconductor light-emitting device. The semiconductor light-emitting device includes a first conductive semiconductor layer; an active layer on the first conductive semiconductor layer; a second conductive semiconductor layer on the active layer; a first electrode including certain shaped patterns underneath the first conductive semiconductor layer; and a nitride semiconductor layer between the patterns of the first electrode.
(FR)L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprend une première couche de semi-conducteur conductrice, une couche active sur la première couche de semi-conducteur conductrice, une seconde couche de semi-conducteur conductrice sur la couche active, une première électrode, comportant certaines structures façonnées au-dessous de la première couche de semi-conducteur conductrice, et une couche de semi-conducteur à base de nitrure placée entre les structures de la première électrode.
(KO)실시 예는 반도체 발광소자에 관한 것이다. 실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층; 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층의 아래에 소정 형상의 패턴을 포함하는 제1전극; 상기 제1전극의 패턴 사이에 질화물 반도체층을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)