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1. (WO2009134009) SUBSTRAT ÉLECTROLYTIQUE CONTENANT UNE COUCHE DE CATALYSEUR MÉTALLIQUE ET UNE COUCHE D'ENSEMENCEMENT MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CARTE À CIRCUIT IMPRIMÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/134009    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/001460
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 23.03.2009
CIB :
H05K 3/18 (2006.01)
Déposants : P & I CORPORATION [KR/KR]; 485, Sangbong 1-dong, Jungnang-gu Seoul 131-221 (KR) (Tous Sauf US).
BEAG, Young Whoan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YEU, Dae Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KANG, Dong Yeob [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : BEAG, Young Whoan; (KR).
YEU, Dae Hwan; (KR).
KANG, Dong Yeob; (KR)
Mandataire : CHAE, Jongkil; c/o SAYHWA Int'l Patent & Law Firm 2nd Fl., Hyunmin Building, 65-3 Bangi-dong, Songpa-gu Seoul 138-050 (KR).
LEE, Suchan; c/o Sayhwa International Patent & Law Office 6th Fl., Sungbo Bldg. Yeoksam-dong, Kangnam-ku Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0039731 29.04.2008 KR
Titre (EN) ELECTROPLATING SUBSTRATE CONTAINING METAL CATALYST LAYER AND METAL SEED LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING PRINTED CIRCUIT BOARD USING THE SAME
(FR) SUBSTRAT ÉLECTROLYTIQUE CONTENANT UNE COUCHE DE CATALYSEUR MÉTALLIQUE ET UNE COUCHE D'ENSEMENCEMENT MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CARTE À CIRCUIT IMPRIMÉ
(KO) 금속 촉매층 및 금속 시드층을 포함하는 전해도금용 기판, 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are an electroplating substrate containing a metal catalyst layer and a metal seed layer, and a method for producing a printed circuit board using the same. The electroplating substrate comprises a rigid substrate, a metal catalyst layer, and a metal seed layer. The rigid substrate includes a surface treatment layer containing a reactive functional group. The metal catalyst layer is continuously or discontinuously formed on the surface treatment layer of the rigid substrate through a dry deposition process. Through the dry deposition process, the metal seed layer is formed on the front surface of the rigid substrate on which the metal catalyst layer is formed. The metal catalyst layer is activated by a heating process. Various factors such as hydrogen and moisture are removed by both the heating process and the metal catalyst layer activated by the heating process, wherein the hydrogen and moisture are formed on an electroplated film during an electroplating process for producing a printed circuit board and affect the degradation of adhesion between the metal seed layer and the rigid substrate. Accordingly, the invention can reduce the time required for restoring the adhesion between the metal seed layer and the rigid substrate degraded after electroplating, and can increase the adhesion between the metal seed layer and the rigid substrate.
(FR)L'invention porte sur un substrat électrolytique contenant une couche de catalyseur métallique et une couche d'ensemencement métallique, et sur un procédé de production d'une carte à circuit imprimé. Le substrat électrolytique précité comprend un substrat rigide, une couche de catalyseur métallique et une couche d'ensemencement métallique. Le substrat rigide comprend une couche de traitement de surface contenant un groupe fonctionnel réactif. La couche de catalyseur métallique est formée de manière continue ou discontinue sur la couche de traitement de surface du substrat rigide par un processus de dépôt à sec. La couche d'ensemencement métallique est formée par dépôt à sec sur la surface avant du substrat rigide sur laquelle la couche de catalyseur métallique a été formée. La couche de catalyseur métallique est activée par un processus d'échauffement, lequel processus d'échauffement permet en outre, avec la couche de catalyseur métallique activée, d'éliminer divers facteurs tels que l'hydrogène et l'humidité, qui se forment normalement sur un film électrolytique au cours du processus d'électrodéposition destiné à produire une carte à circuit imprimé et qui détériorent l'adhérence entre la couche d'ensemencement métallique et le substrat rigide. L'invention permet de réduire le temps requis pour restaurer l'adhérence entre la couche d'ensemencement métallique et le substrat rigide qui se détériore à la suite de l'électrodéposition, et permet de renforcer ladite adhérence.
(KO)금속 촉매층 및 금속 시드층을 포함하는 전해도금용 기판, 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조 방법이 개시된다. 전해도금용 기판은, 경성 기판, 금속 촉매층, 및 금속 시드층을 포함한다. 경성 기판은 반응성 작용기를 포함하는 표면 처리 층을 포함한다. 금속 촉매 층은 경성 기판의 표면 처리 층 상에, 건식 증착 공정에 의해, 연속적으로 또는 불연속적으로 형성된다. 금속 시드층은 금속 촉매 층이 형성된 경성 기판 전면에, 건식 증착 공정에 의해 형성된다. 금속 촉매 층은 가열 공정에 의해 활성화된다. 인쇄회로기판의 제조 시, 전해 도금 공정 중 전해 도금 막에 생성되어, 금속 시드층과 경성 기판 간의 접착력을 저하시키는데 영향을 미치는 수소 및 수분 등을 포함하는 여러 요인들은 가열 공정과, 가열 공정에 의해 활성화된 금속 촉매층에 의해 제거되어, 전해 도금 후 저하되는 경성 기판과 금속 시드층 간의 접착력 회복 시간이 단축될 수 있고, 경성 기판과 금속 시드층간의 접착력이 증가된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)