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1. (WO2009133961) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE TRANSDUCTEURS ÉLECTROMÉCANIQUES CAPACITIFS ET TRANSDUCTEURS ÉLECTROMÉCANIQUES CAPACITIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133961    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058720
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 28.04.2009
CIB :
B06B 1/02 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501 (JP) (Tous Sauf US).
CHANG, Chienliu [--/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : CHANG, Chienliu; (JP)
Mandataire : OKABE, Masao; No. 602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-120391 02.05.2008 JP
2009-057263 11.03.2009 JP
Titre (EN) METHODS OF MANUFACTURING CAPACITIVE ELECTROMECHANICAL TRANSDUCER AND CAPACITIVE ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION DE TRANSDUCTEURS ÉLECTROMÉCANIQUES CAPACITIFS ET TRANSDUCTEURS ÉLECTROMÉCANIQUES CAPACITIFS
Abrégé : front page image
(EN)In a method of manufacturing a capacitive electromechanical transducer, a first electrode (8) is formed on a substrate (4), an insulating layer (9) which has an opening (6) leading to the first electrode is formed on the first electrode (8), and a sacrificial layer is formed on the insulating layer. A membrane (3) having a second electrode (1) is formed on the sacrificial layer, and an aperture is provided as an etchant inlet in the membrane. The sacrificial layer is etched to form a cavity (10), and then the aperture serving as an etchant inlet is sealed. The etching is executed by electrolytic etching in which a current is caused to flow between the first electrode (8) and an externally placed counter electrode through the opening (6) and the aperture of the membrane.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d’un transducteur électromécanique capacitif, comportant les étapes suivantes : une première électrode (8) est formée sur un substrat (4), une couche isolante (9) comportant une ouverture (6) donnant sur la première électrode est formée sur la première électrode (8) et une couche sacrificielle est formée sur la couche isolante. Une membrane (3) munie d’une deuxième électrode (1) est formée sur la couche sacrificielle, et on pratique dans la membrane un orifice servant d’entrée d’agent de gravure. La couche sacrificielle est gravée de façon à former une cavité (10), puis l’orifice servant d’entrée d’agent de gravure est scellé. La gravure est exécutée par gravure électrolytique en faisant circuler un courant entre la première électrode (8) et une contre-électrode placée extérieurement à travers l’ouverture (6) et l’orifice de la membrane.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)