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1. (WO2009133799) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133799    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/058007
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 22.04.2009
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), G01J 1/02 (2006.01), G01J 1/44 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka, 4358558 (JP) (Tous Sauf US).
SUZUKI, Hisanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YONETA, Yasuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OTSUKA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAMATSU, Masaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUZUKI, Hisanori; (JP).
YONETA, Yasuhito; (JP).
OTSUKA, Shinya; (JP).
MURAMATSU, Masaharu; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-119010 30.04.2008 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)A solid-state imaging device (1) is provided with plural photoelectric conversion units (3) and a first and second shift registers (9, 13). Each of the photoelectric conversion units (3) comprises a photosensitive region (15) which generates an electric charge in response to light incidence and has an approximately rectangular planar shape formed by two long sides and two short sides, and a potential gradient forming region (17) which forms a potential gradient elevated along a predetermined direction parallel to the long sides forming the planar shape of the photosensitive region (15) in the photosensitive region (15). The plural photoelectric conversion units (3) are disposed side by side along a direction crossing the predetermined direction. The first and second shift registers (9, 13) acquire electric charges respectively transferred from the plural photoelectric conversion units (3) and transfers and outputs the electric charges in the direction crossing the predetermined direction. Thus, the solid-state imaging device capable of reading electric charges generated in the photosensitive regions at high speed without complicating image processing is achieved.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (1) qui comprend une pluralité d'unités de conversion photoélectrique (3) et des premier et second registres à décalage (9, 13). Chacune des unités de conversion photoélectrique (3) comprend une région photosensible (15) qui génère une charge électrique en réponse à une incidence de lumière et a une forme plane approximativement rectangulaire formée par deux grands côtés et deux petits côtés, et une région de formation de gradient de potentiel (17) qui forme un gradient de potentiel croissant suivant une direction prédéterminée parallèle aux grands côtés formant la forme plane de la région photosensible (15) dans la région photosensible (15). Les multiples unités de conversion photoélectrique (3) sont agencées côte à côte dans une direction croisant la direction prédéterminée. Les premier et second registres à décalage (9, 13) acquièrent des charges électriques respectivement transférées par les multiples unités de conversion de photoélectrique (3) et transfèrent et délivrent les charges électriques dans la direction croisant la direction prédéterminée. Ainsi, le dispositif d'imagerie à semi-conducteurs obtenu est capable de lire des charges électriques générées dans les régions photosensibles à grande vitesse sans traitement d'image compliqué.
(JA) 固体撮像装置1は、複数の光電変換部3と、第1及び第2のシフトレジスタ9,13とを備えている。各光電変換部3は、光入射に応じて電荷を発生し且つ平面形状が二つの長辺と二つの短辺とによって形作られる略矩形状を成す光感応領域15と、光感応領域15に対して光感応領域15の平面形状を成す長辺に平行な所定の方向に沿って高くされた電位勾配を形成する電位勾配形成領域17と、を有している。複数の光電変換部3は、上記所定の方向に交差する方向に沿うように併置されている。第1及び第2のシフトレジスタ9,13は、複数の光電変換部3からそれぞれ転送された電荷を取得し、上記所定の方向に交差する方向に転送して出力する。これにより、画像処理が煩雑になることなく、光感応領域に発生した電荷を高速に読み出すことが可能な固体撮像装置が実現される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)