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1. (WO2009133762) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133762    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/057310
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 10.04.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Déposants : NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (Tous Sauf US).
FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE [JP/JP]; 586-9, Aza Ushigafuchi, Akatsuka, Tsukuba-shi, Ibaraki, 3050062 (JP) (Tous Sauf US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURODA, Rihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
KURODA, Rihito; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; Hibiya Daibiru Bldg. 2-2, Uchisaiwaicho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-116701 28.04.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)In an inversion-type transistor, an intrinsic-type transistor and an accumulation-type transistor of an accumulation layer current controlled type of a semiconductor layer, the dispersion of a threshold voltage is so enlarged in a miniature generation by the statistical dispersion of an impurity atomic concentration as to make it hard to keep the reliability of an LSI. Provided is a bulk-current controlled accumulation type transistor, which is formed by controlling the film thickness and the impurity atomic concentration of the semiconductor layer so that the thickness of a depletion layer becomes larger than the film thickness of the semiconductor layer. By making the film of the semiconductor layer 100 nm thick and the impurity concentration higher than 2 × 1017 [cm-3], for example, the standard deviation of the dispersion of the threshold value can be made smaller than the dispersion of the power source voltage.
(FR)Dans un transistor du type à inversion, un transistor du type intrinsèque et un transistor du type à accumulation d'un type commandé en courant de couche d'accumulation d'une couche semi-conductrice, la dispersion d'une tension de seuil est tellement élargie dans une génération miniature par la dispersion statistique d'une concentration atomique d'impuretés qu'il est difficile de conserver la fiabilité d'une intégration à grande échelle (LSI). L'invention porte sur un transistor du type à accumulation commandé en courant de masse, qui est formé par maîtrise de l'épaisseur de film et de la concentration atomique d'impuretés de la couche semi-conductrice de telle manière que l'épaisseur d'une couche d'appauvrissement devient plus grande que l'épaisseur de film de la couche semi-conductrice. En donnant au film de la couche semi-conductrice une épaisseur de 100 nm et une concentration en impuretés supérieure à 2 x 1017 [cm-3], par exemple, l'écart-type de la dispersion de la valeur de seuil peut être rendu inférieur à la dispersion de la tension de source d'alimentation.
(JA) Inversion型トランジスタやIntrinsic型トランジスタ、及び半導体層の蓄積層電流制御型Accumulation型トランジスタでは不純物原子濃度の統計的ばらつきによってしきい値電圧のばらつきが微細化世代で大きくなってしまい、LSIの信頼性を保つことが困難であった。空乏層の厚さが半導体層の膜厚よりも大きくなるように、半導体層の膜厚と不純物原子濃度を制御することによって形成されたバルク電流制御Accumulation型トランジスタが得られる。例えば、半導体層の膜厚を100nmにすると共に不純物濃度2×1017[cm-3]より高くすることによって、しきい値のばらつきの標準偏差が電源電圧のばらつきよりも小さくすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)