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1. WO2009133744 - ELÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE

Numéro de publication WO/2009/133744
Date de publication 05.11.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2009/056480
Date du dépôt international 30.03.2009
CIB
H01L 21/8246 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
G11C 11/1655
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1653Address circuits or decoders
1655Bit-line or column circuits
G11C 11/1659
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1659Cell access
G11C 11/1673
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1673Reading or sensing circuits or methods
G11C 11/1675
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
165Auxiliary circuits
1675Writing or programming circuits or methods
G11C 11/18
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
18using Hall-effect devices
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 深見 俊輔 FUKAMI, Shunsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 哲広 SUZUKI, Tetsuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 永原 聖万 NAGAHARA, Kiyokazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石綿 延行 ISHIWATA, Nobuyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大嶋 則和 OHSHIMA, Norikazu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 深見 俊輔 FUKAMI, Shunsuke
  • 鈴木 哲広 SUZUKI, Tetsuhiro
  • 永原 聖万 NAGAHARA, Kiyokazu
  • 石綿 延行 ISHIWATA, Nobuyuki
  • 大嶋 則和 OHSHIMA, Norikazu
Mandataires
  • 工藤 実 KUDOH, Minoru
Données relatives à la priorité
2008-11689728.04.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC STORAGE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ELÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気記憶素子、及び磁気メモリ
Abrégé
(EN)
A magnetic storage element and a magnetic memory are each provided with a storage layer and a readout mechanism. The storage layer consists of a ferromagnetic material. The storage layer is provided with a first magnetization fixed region, a second magnetization fixed region, and a magnetic wall region. The first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region are fixedly magnetized in directions symmetrical with respect to the magnetic wall region.
(FR)
La présente invention concerne un élément de stockage magnétique et une mémoire magnétique qui sont chacun dotés d’une couche de stockage et d’un mécanisme d’extraction. La couche de stockage comprend un matériau ferromagnétique. La couche de stockage est dotée d’une première région fixe à magnétisation, d’une seconde région fixe à magnétisation et d’une région à paroi magnétique. La première région fixe à magnétisation et la seconde région fixe à magnétisation sont magnétisées fixement dans des directions symétriques par rapport à la région à paroi magnétique.
(JA)
 本発明に係る磁気記憶素子、及び磁気メモリは、記憶層と読み出し機構を具備し、前記記憶層は強磁性体から構成され、前記記憶層は第1磁化固定領域と第2磁化固定領域と磁壁領域を具備し、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域は磁壁領域に対して対称方向に固定された磁化を有する。
Également publié en tant que
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