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1. (WO2009133638) FRITTÉ D'OXYDE D'YTTRIUM ET ÉLÉMENT POUR PROCESSEUR AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133638    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/068262
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 08.10.2008
CIB :
C04B 35/50 (2006.01)
Déposants : Ferrotec Ceramics Corporation [JP/JP]; 1-4-14 Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP) (Tous Sauf US).
OKAMOTO, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARAHORI, Tadahisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKAMOTO, Ken; (JP).
ARAHORI, Tadahisa; (JP)
Mandataire : SUGIOKA, Kanji; K. Sugioka Patent Office, 2-5-10, Sonezaki, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300057 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-117505 28.04.2008 JP
Titre (EN) YTTRIA SINTER AND MEMBER FOR PLASMA PROCESSOR
(FR) FRITTÉ D'OXYDE D'YTTRIUM ET ÉLÉMENT POUR PROCESSEUR AU PLASMA
(JA) イットリア焼結体およびプラズマプロセス装置用部材
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide an yttria sinter having a high strength and low dielectric loss. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The yttria sinter has a dielectric loss (tanδ) as measured at a frequency of 1-20 GHz of 1×10-4 or lower. The sinter is characterized by comprising at least 99.9 mass% yttria and having a porosity of 1% or lower, an average crystal grain diameter of 3 µm or smaller, and a cumulative frequency ratio as calculated using the following equation (1) of 3 or lower. Cumulative frequency ratio = D90/D50 (1) The symbols in the equation (1) have the following meanings. D90: crystal grain diameter (µm) at 90% cumulation from the small-grain-diameter side in a number-based grain size distribution of the crystal grains. D50: crystal grain diameter (µm) at 50% cumulation from the small-grain-diameter side in the number-based grain size distribution of the crystal grains.
(FR)L'invention vise à fournir un fritté d'oxyde d'yttrium présentant une résistance élevée et une faible perte diélectrique. A cet effet, l'invention porte sur un fritté d'oxyde d'yttrium présentant une perte diélectrique (tanδ), telle que mesurée à une fréquence de 1 à 20 GHz, inférieure ou égale à 1 × 10-4. Le fritté est caractérisé en ce qu'il inclut au moins 99,9 % en masse d'oxyde d'yttrium et qu'il présente une porosité inférieure ou égale à 1 %, un diamètre moyen de grain cristallin inférieur ou égal à 3 µm et un rapport des fréquences cumulées, tel que calculé à l'aide de l'équation (1) suivante, inférieur ou égal à 3. Rapport des fréquences cumulées = D90/D50  (1) Les symboles de l'équation (1) possèdent les significations suivantes : D90 : diamètre de grain cristallin (µm) à un cumul de 90 % à partir du côté des petits diamètres de grain dans une distribution de la dimension des grains, sur la base du nombre des grains cristallins ; D50 : diamètre de grain cristallin (µm) à un cumul de 50 % à partir du côté des petits diamètres de grain dans la distribution de la dimension des grains, sur la base du nombre des grains cristallins.
(JA)【課題】高強度で、低誘電損失であるイットリア焼結体の提供。 【課題手段】イットリアを99.9質量%以上含有し、気孔率が1%以下で、平均結晶粒径が3μm以下であり、かつ、下記(1)式から算出される累積頻度比が3以下であることを特徴とする、1~20GHzの周波数における誘電損失tanδが1×10-4以下であるイットリア焼結体。 累積頻度比=D90/D50・・・(1) 但し、上記(1)式中の各記号の意味は下記の通りである。 D90:結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が90%となる結晶粒径(μm) D50:結晶粒の個数基準での粒度分布の小粒径側からの累計が50%となる結晶粒径(μm)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)