WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009133594) COMPOSANT DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133594    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/003191
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 05.11.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.07.2009    
CIB :
G11C 16/06 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MUKUNOKI, Toshio; (US Seulement)
Inventeurs : MUKUNOKI, Toshio;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-117328 28.04.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
(FR) COMPOSANT DE MÉMOIRE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 半導体記憶装置とその半導体記憶装置を用いた電子機器
Abrégé : front page image
(EN)When reading data from a memory cell (M02) of a top array block to a bit line (BL2), switch elements (S1, S101) are closed and the data is accumulated as charge in a bit line (BL102) of the bottom array block. When a switch element (S1) of the top array side is opened to start a sense amplifier (6), the data which has been read from the memory cell (M02) and held in the bit line (BL102) of the bottom array block is outputted outside from a flash memory. While the data is outputted in this way, it is possible to precharge the potential of the bit line (BL2) of the array block and start the next read-out operation.
(FR)Selon l'invention, lorsqu'on lit des données à partir d'une cellule mémoire (M02) d'un bloc matriciel supérieur vers une ligne de bits (BL2), des éléments de commutation (S1, S101) sont fermés et les données sont accumulées sous forme de charge dans une ligne de bits (BL102) du bloc matriciel inférieur. Lorsqu'un élément de commutation (S1) du côté bloc matriciel supérieur est ouvert afin de démarrer un amplificateur de détection (6), les données qui ont été lues de la cellule mémoire (M02) et contenues dans la ligne de bits (BL102) du bloc matriciel inférieur sont sorties d'une mémoire flash. Alors que les données sont sorties de cette manière, il est possible de précharger le potentiel de la ligne de bits (BL2) du bloc matriciel et de démarrer l'opération d'extraction suivante.
(JA) トップアレイブロックのメモリセル(M02)からビット線(BL2)にデータを読み出すとき、スイッチ素子(S1,S101)を閉じて、そのデータをボトムアレイブロックのビット線(BL102)に電荷の形で蓄えさせる。トップアレイ側のスイッチ素子(S1)を開いてセンスアンプ(6)を起動すれば、メモリセル(M02)から読み出されてボトムアレイブロックのビット線(BL102)に保持されているデータが、フラッシュメモリの外部に出力される。このようにしてデータを出力している間に、トップアレイブロックのビット線(BL2)の電位のプリジャージを行って、次の読み出し動作を開始することも可能である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)