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1. (WO2009133510) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR SUR UN NANOFIL ET CIRCUIT INTÉGRÉ INCLUANT UN TEL CONDENSATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133510    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/051694
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 24.04.2009
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
VAN BEEK, Jozef, T, M. [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
BAKKERS, Erik, P., A., M. [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
ROOZEBOOM, Freddy [NL/NL]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : VAN BEEK, Jozef, T, M.; (GB).
BAKKERS, Erik, P., A., M.; (GB).
ROOZEBOOM, Freddy; (GB)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Données relatives à la priorité :
08103766.5 29.04.2008 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A CAPACITOR ON A NANOWIRE AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING SUCH A CAPACITOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR SUR UN NANOFIL ET CIRCUIT INTÉGRÉ INCLUANT UN TEL CONDENSATEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a capacitor on a wafer, and an IC comprising such a capacitor is disclosed. The method comprises forming a plurality of vertical structures (140) each having a sub-micron thickness on the wafer; and growing a metal-insulator-metal (MIM) stack (150) over the plurality of vertical structures (140). In a preferred embodiment, the method further comprises depositing a catalyst layer (130) over the wafer; and patterning the catalyst layer, and wherein the step of forming the plurality of vertical structures (140) comprises growing a plurality of nanowires on the patterned catalyst layer. Consequently, a capacitor formed by the MIM stack (150) is obtained that has a very high capacitance density and that can be formed on top of an IC in the back- end process of an IC manufacturing process.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un condensateur sur une tranche, et sur un circuit intégré (CI) incluant un tel condensateur. Le procédé comprend la formation d'une pluralité de structures verticales (140) présentant chacune une épaisseur inférieure au micron sur la tranche ; et le développement d'un empilement métal-isolant-métal (MIM) (150) sur la pluralité de structures verticales (140). Dans un mode de réalisation préféré, le procédé comprend en outre le dépôt d'une couche de catalyseur (130) sur la tranche ; et la formation des motifs de la couche de catalyseur, et l'étape de formation de la pluralité de structures verticales (140) comprend le développement d'une pluralité de nanofils sur la couche de catalyseur à motifs. En conséquence, on obtient un condensateur formé par l'empilement MIM (150), qui possède une densité de capacité très élevée et peut être formé sur le dessus d'un CI dans le processus final d'un processus de fabrication de CI.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)