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1. (WO2009133485) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133485    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/051414
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 03.04.2009
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-Eindhoven 5656 Ag (NL) (Tous Sauf US).
HERINGA, Anco [NL/NL]; (AT) (US Seulement).
SONSY, Jan [CZ/BE]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : HERINGA, Anco; (AT).
SONSY, Jan; (AT)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; (GB)
Données relatives à la priorité :
08103785.5 30.04.2008 EP
Titre (EN) A FIELD EFFECT TRANSISTOR AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A field effect transistor (700), the field effect transistor (700) comprising a substrate (702), a well structure comprising a well region (704) formed in a first surface portion of the substrate (702) and a well extension (706) formed in a second surface portion of the substrate (702) adjacent the first surface portion, a gate structure comprising a gate region (708) formed over the first surface portion of the substrate (702) and a gate extension (710) formed over the second surface portion of the substrate (702), and a gate insulating structure (712) for ohmically decoupling the gate structure from the well structure and having a uniform thickness (d) along the gate structure, wherein the gate structure has a spatially varying doping profile.
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ (700), le transistor à effet de champ (700) comprenant un substrat (702), une structure à puits comprenant une région de puits (704) formée dans une première partie de surface du substrat (702) et une extension de puits (706) formée dans une seconde partie de surface du substrat (702) adjacente à la première partie de surface, une structure de grille comprenant une région de grille (708) formée sur la première partie de surface du substrat (702) et une extension de grille (710) formée sur la seconde partie de surface du substrat (702) et une structure d’isolation de grille (712) pour découpler de façon ohmique la structure de grille de la structure de puits et présentant une épaisseur uniforme (d) le long de la structure de grille, la structure de grille ayant un profil de dopage variant dans l’espace.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)