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1. (WO2009133196) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE COUCHES D'OXYDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133196    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/055312
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 30.04.2009
CIB :
H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : IMEC [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven (BE) (Tous Sauf US).
SOUSSAN, Philippe [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BEYNE, Eric [BE/BE]; (BE) (US Seulement).
MULLER, Philippe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SOUSSAN, Philippe; (FR).
BEYNE, Eric; (BE).
MULLER, Philippe; (FR)
Mandataire : HERTOGHE, Kris; (BE)
Données relatives à la priorité :
61/050,092 02.05.2008 US
Titre (EN) METHOD FOR PROVIDING OXIDE LAYERS
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE COUCHES D'OXYDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for providing an oxide layer (9) on a semiconductor substrate (1). The method comprises obtaining a semiconductor substrate (1), for example comprising a three-dimensional structure, which may comprise at least one hole (5), and forming an oxide layer (9) on the substrate, for example on the three-dimensional structure, by anodising the substrate in an acidic electrolyte solution.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde (9) sur un substrat de semi-conducteur (1). Le procédé consiste à obtenir un substrat de semi-conducteur (1), dont la structure est par exemple tridimensionnelle et qui peut comporter au moins un trou (5), et former une couche d'oxyde (9) sur le substrat, par exemple sur la structure tridimensionnelle, par anodisation du substrat dans une solution électrolytique acide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)