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1. (WO2009133082) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE POUVANT ÊTRE OBTENU PAR UNE DOUBLE POLYMÉRISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/133082    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/055092
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 28.04.2009
CIB :
H01B 3/44 (2006.01), C08J 9/26 (2006.01), C09D 183/06 (2006.01), H01B 3/02 (2006.01)
Déposants : BASF SE [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (Tous Sauf US).
KLIPP, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LANGE, Arno [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÄHNLE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KLIPP, Andreas; (DE).
LANGE, Arno; (DE).
HÄHNLE, Hans-Joachim; (DE)
Représentant
commun :
BASF SE; 67056 Ludwigshafen (DE)
Données relatives à la priorité :
08155304.2 28.04.2008 EP
Titre (EN) LOW-K DIELECTRICS OBTAINABLE BY TWIN POLYMERIZATION
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE À FAIBLE CONSTANTE DIÉLECTRIQUE POUVANT ÊTRE OBTENU PAR UNE DOUBLE POLYMÉRISATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a dielectric layer with a permittivity of 3.5 or less comprising a dielectric obtainable by polymerizing at least one twin monomer comprising a) a first monomer unit which comprises a metal or semi metal, and b) a second monomer unit which is connected to the first monomer unit via a chemical bond, wherein the polymerization involves polymerizing the twin monomer with breakage of the chemical bond and formation of a first polymer comprising the first monomer unit and of a second polymer comprising the second monomer unit, and wherein the first and the second monomer unit polymerize via a common mechanism.
(FR)La présente invention concerne une couche diélectrique qui présente une permittivité maximale de 3,5 et qui comprend un matériau diélectrique pouvant être obtenu par la polymérisation d'au moins un monomère double comprenant une première unité monomère qui comprend un métal ou un semi-métal et (b) une seconde unité monomère qui est reliée à la première unité monomère par une liaison chimique, la polymérisation impliquant de polymériser le monomère double avec une rupture de la liaison chimique et la formation d'un premier polymère comprenant la première unité monomère et d'un second polymère comprenant la seconde unité monomère, les première et seconde unités monomères polymérisant par l'intermédiaire d'un mécanisme commun.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)