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1. (WO2009132891) COMPOSANT MICROMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/132891    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/052970
Date de publication : 05.11.2009 Date de dépôt international : 13.03.2009
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
BUCK, Thomas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STUMBER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BUCK, Thomas; (DE).
STUMBER, Michael; (DE)
Représentant
commun :
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 001 422.2 28.04.2008 DE
Titre (DE) MIKROMECHANISCHES BAUTEIL MIT GETEMPERTER METALLSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A TEMPERED METAL LAYER AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT MICROMÉCANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(DE)Ein Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Bauteilen, wobei ein Substrat (1) zumindest mit einer Metallschicht (3, 6, 7, 7') sowie einer SiGe umfassenden Opferschicht (5, 5') strukturiert wird und wobei weiterhin die Opferschicht (5, 5') durch Ätzen mit einer fluorhaltigen Verbindung wie ClF3 mindestens teilweise wieder entfernt wird, wobei vor dem Ätzen der Opferschicht (5, 5') das Substrat (1), welches die Opferschicht (5, 5') und die Metallschicht (3, 6, 7, 7') trägt, bei einer Temperatur von ≥ 100 °C bis ≤ 400 °C getempert wird. Das Material der Metallschicht (3, 6, 7, 7') kann Aluminium umfassen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein mikromechanisches Bauteil, umfassend eine Metallschicht (3, 6, 7, 7'), wobei das Material der Metallschicht in einem polykristallinen Gefüge vorliegt und wobei ≥ 90% der Kristallite eine Größe von ≥ 1 μm bis ≤ 100 μm aufweisen sowie die Verwendung eines solchen mikromechanischen als Drucksensor, als Hochfrequenzschalter oder als Varaktor.
(EN)The invention relates to a method for producing micromechanical components, wherein a substrate (1) having at least one metal layer (3, 6, 7, 7') and a sacrificial layer (5, 5') comprising SiGe are structured and the sacrificial layer (5, 5') is at least partially removed by etching with a fluorine-containing compound such as ClF3, the substrate (1) which carries the sacrificial layer (5, 5') and the metal layer (3, 6, 7, 7') being tempered at a temperature of ≥ 100 °C to ≤ 400 °C prior to the sacrificial layer (5, 5') being etched. The material of the metal layer (3, 6, 7, 7') can comprise aluminum. The invention further relates to a micromechanical component which comprises a metal layer (3, 6, 7, 7'), the material of the metal layer having a polycrystalline structure and ≥ 90% of the crystallites having a size of ≥ 1 μm to ≤ 100 μm. The invention also relates to the use of said micromechanical components as pressure sensors, high-frequency switches or as varactor.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de composants micromécaniques, consistant à structurer un substrat (1) avec au moins une couche métallique (3, 6, 7, 7') ainsi qu'une couche sacrificielle (5, 5') comprenant du SiGe, puis à éliminer au moins partiellement la couche sacrificielle (5, 5') par gravure avec un composé fluoré tel que le ClF3, le substrat (1) revêtu de la couche sacrificielle (5, 5') et de la couche métallique (3, 6. 7, 7') étant chauffé à une température de ≥ 100°C à ≤ 400°avant la gravure de la couche sacrificielle (5, 5'). Le matériau de la couche métallique (3, 6, 7, 7') peut comprendre de l'aluminium. L'invention concerne en outre un composant micromécanique comprenant une couche métallique (3, 6, 7, 7'), le matériau de la couche métallique présentant une structure polycristalline, et ≥ 90% des cristallites présentant une taille de ≥ 1µm à ≤ 100 µm, ainsi que l'utilisation d'un tel composant micromécanique en tant que capteur de pression, commutateur haute fréquence ou diode varactor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)