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1. (WO2009117713) AMPLIFICATEUR DE TRANSCONDUCTANCE À FAIBLE BRUIT ET À SORTIE EN QUADRATURE AYANT UNE ENTRÉE DIFFÉRENTIELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117713    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037890
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 20.03.2009
CIB :
H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
FAGG, Russell [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FAGG, Russell; (US)
Mandataire : HOOKS, William, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/053,249 21.03.2008 US
Titre (EN) QUADRATURE OUTPUT LOW NOISE TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER HAVING DIFFERENTIAL INPUT
(FR) AMPLIFICATEUR DE TRANSCONDUCTANCE À FAIBLE BRUIT ET À SORTIE EN QUADRATURE AYANT UNE ENTRÉE DIFFÉRENTIELLE
Abrégé : front page image
(EN)A device for providing low noise transconductance amplification is presented. The device includes a PMOS transconductance section configured to receive a differential RF input signal, a PMOS cascode section coupled to the PMOS transconductance section, an NMOS transconductance section configured to receive the RF differential input signal, and an NMOS cascode section coupled to the NMOS transconductance section, where the PMOS and NMOS cascode sections provide a differential quadrature output signal and a differential in-phase output signal. A method for amplifying an RF signal is also presented. The method includes receiving a differential RF input signal, converting the differential RF input signal into current signals, buffering the current signals to provide a differential quadrature output signal and a differential in-phase output signal.
(FR)L'invention concerne un dispositif pour fournir une amplification de transconductance à faible bruit. Le dispositif comprend une section de transconductance de MOS à canal P configurée pour recevoir un signal d'entrée RF différentiel, une section de cascode de MOS à canal P couplée à la section de transconductance de MOS à canal P, une section de transconductance de MOS à canal N configurée pour recevoir le signal d'entrée RF différentiel, et une section de cascode de MOS à canal N couplée à la section de transconductance de MOS à canal N, les sections de cascode de MOS à canal P et de MOS à canal N fournissant un signal de sortie en quadrature différentiel et un signal de sortie en phase différentiel. Un procédé pour amplifier un signal RF est également présenté. Le procédé comprend la réception d'un signal d'entrée RF différentiel, la conversion du signal d'entrée RF différentiel en signaux de courant, la mise en mémoire tampon des signaux de courant pour fournir un signal de sortie en quadrature différentiel et un signal de sortie en phase différentiel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)