WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009117642) GRAVURE ANTIREFLET DE SURFACES DE SILICIUM CATALYSÉE AVEC DES SOLUTIONS DE MÉTAUX IONIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117642    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037776
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 20.03.2009
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : ALLIANCE FOR SUSTAINABLE ENERGY, LLC [US/US]; 1617 Cole Boulevard Golden, CO 80401 (US) (Tous Sauf US).
YOST, Vernon [US/US]; (US) (US Seulement).
BRANZ, Howard [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YOST, Vernon; (US).
BRANZ, Howard; (US)
Mandataire : WHITE, Paul, J.; (US).
STOLPA, John, C.; (US).
TRENNER, Mark, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/053,445 21.03.2008 US
Titre (EN) ANTI-REFLECTION ETCHING OF SILICON SURFACES CATALYZED WITH IONIC METAL SOLUTIONS
(FR) GRAVURE ANTIREFLET DE SURFACES DE SILICIUM CATALYSÉE AVEC DES SOLUTIONS DE MÉTAUX IONIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method (300) for etching a silicon surface (116). The method (300) includes positioning (310) a substrate (112) with a silicon surface (116) into a vessel (122). The vessel (122) is filled (330, 340) with a volume of an etching solution (124) so as to cover the silicon surface (116). The etching solution (124) includes a catalytic solution (140) and an oxidant-etchant solution (146), e.g., an aqueous solution of hydrofluoric acid and hydrogen peroxide. The catalytic solution (140) may be a solution that provides metal-containing molecules or ionic species of catalytic metals. The silicon surface (116) is etched (350) by agitating the etching solution (124) in the vessel (122) such as with ultrasonic agitation, and the etching may include heating (360) the etching solution (124) and directing light (365) onto the silicon surface (116). During the etching, the catalytic solution (140), such as a dilute solution of chorauric acid, in the presence of the oxidant-etchant solution (146) may release metal particles such as gold or silver nanoparticles that speed or drive the etching process.
(FR)L’invention concerne un procédé (300) de gravure d’une surface de silicium (116). Le procédé (300) comprend le placement (310) d’un substrat (112) comportant une surface de silicium (116) dans un récipient (122). Le récipient (122) est rempli (330, 340) avec un certain volume d’une solution d’attaque (124) de sorte à recouvrir la surface de silicium (116). La solution d’attaque (124) comprend une solution catalytique (140) et une solution d’oxydant-produit d’attaque (146), par exemple, une solution aqueuse d’acide fluorhydrique et de peroxyde d’hydrogène. La solution catalytique (140) peut être une solution qui fournit des molécules contenant un métal ou des espèces ioniques de métaux catalytiques. La surface de silicium (116) est attaquée (350) par agitation de la solution d’attaque (124) dans le récipient (122) telle qu’une agitation ultrasonique, et la gravure peut inclure le chauffage (360) de la solution d’attaque (124) et l’orientation de lumière (365) sur la surface de silicium (116). Pendant la gravure, la solution catalytique (140), telle qu’une solution diluée d’acide choraurique, en présence de la solution d’oxydant-produit d’attaque (146) peut libérer des particules métalliques telles que des nanoparticules d’or ou d’argent qui accélèrent ou favorisent le procédé de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)