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1. (WO2009117526) INTERRUPTEUR REED INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117526    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037575
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2009
CIB :
H01H 51/22 (2006.01)
Déposants : HT MICROANALYTICAL, INC. [US/US]; 3817 Academy Parkway S, Ne Albuquerque, NM 87109 US (US) (Tous Sauf US).
CHRISTENSON, Todd, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
COTO TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 171 Service Road, Suite 301 Warwick, RI 02886-0105 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : CHRISTENSON, Todd, R.; (US)
Mandataire : GRAFE, V, Gerlad; (US)
Données relatives à la priorité :
61/038,340 20.03.2008 US
Titre (EN) INTEGRATED REED SWITCH
(FR) INTERRUPTEUR REED INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)This invention relates to reed switches, and more particularly to micro-miniaturized reed switches and batch microfabrication techniques used to fabricate micro-miniaturized reed switches. The present invention can provide miniaturized reed switches with more consistent operating parameters, and that can be produced more efficiently than conventional reed switches. The present invention can also provide methods of making miniaturized reed switches using microfabrication techniques. The present invention can use lithographic- based fabrication to enable monolithic construction of a reed switch. Microlithography can repeatedly form micrometer dimensions with tight tolerances over large arrays of devices which, if the patterns are translated into materials appropriate for electromechanical devices, can provide for repeatable and consistent electromechanical operation. For example, tight dimensional control of the gap between two reeds in a reed switch or a reed and a fixed contact can provide consistency of performance between reed switches.
(FR)L’invention porte sur des interrupteurs reed, et plus particulièrement sur des interrupteurs reed micro-miniaturisés, ainsi que sur les techniques de fabrication par lots utilisées pour la fabrication d’interrupteurs reed micro-miniaturisés. La présente invention porte sur des interrupteurs reed miniatures dotés de paramètres de fonctionnement plus constants, lesdits interrupteurs reed pouvant être produits plus efficacement que les interrupteurs reed traditionnels. La présente invention concerne également des procédés de fabrication d’interrupteurs reed miniatures au moyen de techniques de micro-fabrication. La présente invention peut utiliser une fabrication fondée sur la lithographie pour permettre la construction monolithique d’un interrupteur reed. La micro-lithographie permet de former de façon répétée des dimensions micrométriques avec une tolérance étroite sur d’importants réseaux de dispositifs qui, si les motifs sont transformés en matériaux convenant aux dispositifs électromécaniques, peuvent assurer un fonctionnement électromécanique réutilisable et régulier. Par exemple, un contrôle étroit de la dimension de l’espace entre deux lames dans un interrupteur reed ou entre une lame et un contact fixe permet d’obtenir une régularité de performance entre les interrupteurs reed. Ainsi, la présente invention permet de contrôler étroitement la caractéristique des interrupteurs reed communément considérée comme sensibilité, ou « ampère-tour », nécessaire pour fermer un interrupteur reed, ledit contrôle allant de paire avec une réduction de l'écart de sensibilité d’un lot de production d’interrupteurs reed à un autre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)