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1. (WO2009117494) PROCÉDÉS POUR FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE TITANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117494    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037525
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2009
CIB :
H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/283 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
KASHEFIZADEH, Keyvan [US/US]; (US) (US Seulement).
XIE, Zhigang [CN/US]; (US) (US Seulement).
BODKE, Ashish, S. [IN/US]; (US) (US Seulement).
CHANG, Mei [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KASHEFIZADEH, Keyvan; (US).
XIE, Zhigang; (US).
BODKE, Ashish, S.; (US).
CHANG, Mei; (US)
Mandataire : TABOADA, Alan; Moser IP Law Group 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, NJ 07702 (US)
Données relatives à la priorité :
12/050,419 18.03.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMING A TITANIUM NITRIDE LAYER
(FR) PROCÉDÉS POUR FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE TITANE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for forming titanium nitride layers are provided herein. In some embodiments, a method of forming a titanium nitride layer on a substrate may include providing a substrate into a processing chamber having a target comprising titanium disposed therein; supplying a nitrogen-containing gas into the processing chamber; sputtering a titanium source material from the target in the presence of a plasma formed from the nitrogen-containing gas to deposit a titanium nitride layer on the substrate; and upon depositing the titanium nitride layer to a desired thickness, forming a magnetic field that biases ions in the processing chamber away from the substrate.
(FR)Cette invention concerne des procédés pour former des couches de nitrure de titane. Dans certains modes de réalisation, un procédé pour former une couche de nitrure de titane sur un substrat peut comprendre les étapes consistant à placer un substrat dans une chambre de traitement contenant une cible sur laquelle est disposé le titane; à injecter un gaz contenant de l'azote dans la chambre de traitement; à pulvériser un matériau source de titane à partir de la cible en présence d'un plasma formé à partir du gaz contenant de l'azote pour déposer une couche de nitrure de titane sur le substrat; et après dépôt de la couche de nitrure de titane jusqu'à une épaisseur souhaitée, à créer un champ magnétique qui éloigne du substrat les ions présents dans la chambre de traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)