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1. (WO2009117476) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BOÎTIER DE SEMICONDUCTEUR OU D'UN ENSEMBLE FORMANT CIRCUIT EN UTILISANT UNE COMPOSITION DE PLASTIFICATION À MANQUE APPLIQUÉE POUR SOUDER DES POINTS DE CONTACT DANS UN PROCESSUS DE RÉGÉNÉRATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117476    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/037491
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2009
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/02 (2006.01)
Déposants : HENKEL LTD. [GB/GB]; Technologies House, Wood Lane End Hemel Hempstead Hertfordshire HP2 4RQ (GB) (Tous Sauf US).
CHAN, Chew, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
JI, Qing [US/US]; (US) (US Seulement).
CURRIE, Mark [GB/US]; (US) (US Seulement).
POOLE, Neil [GB/US]; (US) (US Seulement).
KELLY, Geraldine [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CHAN, Chew, B.; (US).
JI, Qing; (US).
CURRIE, Mark; (US).
POOLE, Neil; (US).
KELLY, Geraldine; (GB)
Mandataire : CUNNINGHAM, Marina, F.; McCormick, Paulding & Huber LLP 185 Asylum Street Cityplace II Hartford, CT 06103-3410 (US).
BAUMAN, Steven, C.; Mccormick, Paulding & Huber Llp 185 Asylum Street Cityplace Ii Hartford, CT 06103-3410 (US)
Données relatives à la priorité :
61/037,753 19.03.2008 US
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR PACKAGE OR CIRCUIT ASSEMBLY USING A FLUXING UNDERFILL COMPOSITION APPLIED TO SOLDER CONTACT POINTS IN A DIP PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BOÎTIER DE SEMICONDUCTEUR OU D'UN ENSEMBLE FORMANT CIRCUIT EN UTILISANT UNE COMPOSITION DE PLASTIFICATION À MANQUE APPLIQUÉE POUR SOUDER DES POINTS DE CONTACT DANS UN PROCESSUS DE RÉGÉNÉRATION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of fabricating a semiconductor package or circuit assembly using an fluxing underfill composition applied to solder contact points in a dip process.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un boîtier de semiconducteur ou d'un ensemble formant circuit en utilisant une composition de plastification à manque afin de souder des points de contact dans un processus de régénération.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)