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1. (WO2009117279) DISPOSITIFS LDMOS À ARCHITECTURES AMÉLIORÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117279    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036632
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 10.03.2009
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 82 Running Hill Road Ms: 35-4E South Portland, ME 04106 (US) (Tous Sauf US).
CAI, Jun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CAI, Jun; (US)
Mandataire : LOTT, Robert, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/049,788 17.03.2008 US
Titre (EN) LDMOS DEVICES WITH IMPROVED ARCHITECTURES
(FR) DISPOSITIFS LDMOS À ARCHITECTURES AMÉLIORÉES
Abrégé : front page image
(EN)An LDMOS device includes a substrate of a first conductivity type, an epitaxial layer on the substrate, a buried well of a second conductivity type opposite to the first conductivity type in a lower portion of the epitaxial layer, the epitaxial layer being of the first conductivity type below the buried layer. The device further includes a field oxide located between a drain and both a gate on a gate oxide and a source with a saddle shaped vertical doping gradient of the second conductivity type in the epitaxial layer above the buried well such that the dopant concentration in the epitaxial layer above the buried well and below a central portion of the field oxide is lower than the dopant concentration at the edges of the field oxide nearest the drain and nearest the gate.
(FR)L'invention concerne un dispositif LDMOS qui comporte un substrat d'un premier type de conductivité, une couche épitaxiale sur le substrat, un puits enfoui d'un second type de conductivité opposé au premier type de conductivité dans une partie inférieure de la couche épitaxiale, cette dernière étant du premier type de conductivité au-dessous de la couche enfouie. Le dispositif comporte en outre un oxyde épais situé entre un drain et à la fois une grille sur un oxyde de grille et une source avec un gradient de dopage vertical en forme de selle du second type de conductivité dans la couche épitaxiale au-dessus du puits enfoui de façon que la concentration dopante dans la couche épitaxiale au-dessus du puits enfoui et au-dessous d'une partie centrale de l'oxyde épais soit inférieure à la concentration dopante aux bords de l'oxyde épais les plus proches du drain et les plus proches de la grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)