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1. (WO2009117262) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE DÉPÔT D'UN FILM DE CARBURE DE SILICIUM À L'AIDE D'UN FAISCEAU D'IONS D'AMAS GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117262    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/036275
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
C23C 14/22 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01)
Déposants : TEL EPION INC. [US/US]; 37 Manning Road Billerica, MA 01821 (US) (Tous Sauf US).
SHERMAN, Steven [US/US]; (US) (US Seulement).
HAUTALA, John, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
RUSSELL, Noel [US/US]; (US) (US Seulement).
TABAT, Martin, D. [US/US]; (US) (US Seulement).
TETREAULT, Thomas, G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SHERMAN, Steven; (US).
HAUTALA, John, J.; (US).
RUSSELL, Noel; (US).
TABAT, Martin, D.; (US).
TETREAULT, Thomas, G.; (US)
Mandataire : DAVIDSON, Kristi, L.; Wood, Herron & Evans, L.l.p., 441 Vine Street, 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Données relatives à la priorité :
12/049,583 17.03.2008 US
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SILICON CARBIDE FILM USING A GAS CLUSTER ION BEAM
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE DÉPÔT D'UN FILM DE CARBURE DE SILICIUM À L'AIDE D'UN FAISCEAU D'IONS D'AMAS GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing material on a substrate (152, 252) is described. The method comprises maintaining a reduced-pressure environment around a substrate holder (150, 250) for holding a substrate (152, 252) having a surface, and holding the substrate (152, 252) securely within the reduced-pressure environment. Additionally, the method comprises forming a gas cluster ion beam (GCIB) (128) from a pressurized gas comprising a compound having silicon (Si) and carbon (C), accelerating the GCIB (128) to the reduced-pressure environment, and irradiating the accelerated GCIB (128) onto at least a portion of the surface of the substrate (152, 252) to form a thin film containing silicon and carbon, wherein the carbon content is greater than or equal to about 10%. Further, the compound may possess a Si-C bond.
(FR)La présente invention concerne un procédé de dépôt d'un matériau sur un substrat (152, 252). Le procédé comprend le maintien d'un environnement sous pression réduite autour d'un support de substrat (150, 250) destiné à maintenir un substrat (152, 252) ayant une surface, et à maintenir fermement le substrat (152, 252) dans l'environnement sous pression réduite. De plus, le procédé comprend la formation d'un faisceau d'ions d'amas gazeux (GCIB) (128) à partir d'un gaz sous pression comprenant un composé ayant du silicium (Si) et du carbone (C), l'accélération du GCIB (128) dans l'environnement sous pression réduite, et l'exposition du GCIB accéléré (128) sur au moins une partie de la surface du substrat (152, 252) pour former un mince film contenant du silicium et du carbone, la teneur en carbone étant supérieure ou égale à environ 10 %. En outre, le composé peut posséder une liaison Si - C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)