WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009117229) DÉPÔT ASSISTÉ PAR MICRO-ONDES COAXIAL ET SYSTÈMES DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117229    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/035325
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
C23C 16/511 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
STOWELL, Michael, W. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRISHNA, Nety [IN/US]; (US) (US Seulement).
HOFMANN, Ralf [DE/US]; (US) (US Seulement).
GRIFFITH, Joe [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STOWELL, Michael, W.; (US).
KRISHNA, Nety; (US).
HOFMANN, Ralf; (US).
GRIFFITH, Joe; (US)
Mandataire : BOUCHER, Patrick; Townsend and Townsend and Crew LLP, 1400 Wewatta, Suite 600, Denver, CO 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
12/050,373 18.03.2008 US
Titre (EN) COAXIAL MICROWAVE ASSISTED DEPOSITION AND ETCH SYSTEMS
(FR) DÉPÔT ASSISTÉ PAR MICRO-ONDES COAXIAL ET SYSTÈMES DE GRAVURE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are systems for achieving improved film properties by introducing additional processing parameters, such as a movable position for the microwave source and pulsing power to the microwave source, and extending the operational ranges and processing windows with the assistance of the microwave source. A coaxial microwave antenna is used for radiating microwaves to assist in physical vapor deposition (PVD) or chemical vapor deposition (CVD) systems. The system may use a coaxial microwave antenna inside a processing chamber, with the antenna being movable between a substrate and a plasma source, such as a sputtering target, a planar capacitively generated plasma source, or an inductively coupled source. In a special case when only a microwave plasma source is present, the position of the microwave antenna is movable relative to a substrate. The coaxial microwave antenna adjacent to the plasma source can assist the ionization more homogeneously and allow substantially uniform deposition over large areas.
(FR)L'invention concerne des systèmes permettant de réaliser de meilleures propriétés de film par introduction de paramètres de traitement supplémentaires, par exemple une position mobile pour la source de micro-ondes, une puissance d'impulsions vers la source de micro-ondes, et une extension des plages d'exploitation et des fenêtres de traitement avec l'assistance de la source de micro-ondes. Une antenne de micro-ondes coaxiale est utilisée afin que les micro-ondes rayonnent pour favoriser le dépôt physique en phase vapeur (PVD) ou le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le système peut utiliser une antenne de micro-ondes coaxiale à l'intérieur d'une chambre de traitement, l'antenne étant mobile entre un substrat et une source de plasma, par exemple une cible de pulvérisation, une source de plasma planaire générée de manière capacitive, ou une source couplée de manière inductive. Dans un cas particulier, lorsque seule une source de plasma à micro-ondes est présente, la position de l'antenne à micro-ondes se déplace par rapport à un substrat. L'antenne à micro-ondes coaxiale jouxtant la source de plasma pour faciliter l'ionisation de manière plus homogène et favoriser un dépôt sensiblement uniforme sur de vastes zones.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)