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1. (WO2009117200) CELLULE SOLAIRE PERFECTIONNÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117200    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/034362
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.02.2009
CIB :
H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : SOLFOCUS, INC. [US/US]; 510 Logue Avenue Mountain View, CA 94043 (US) (Tous Sauf US).
LUDOWISE, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAN, Hing, Wah [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LUDOWISE, Michael; (US).
CHAN, Hing, Wah; (US)
Mandataire : TALWALKAR, Nandu, A.; Buckley, Maschoff & Talwalkar LLC 50 Locust Avenue New Canaan, CT 06840 (US)
Données relatives à la priorité :
12/050,516 18.03.2008 US
Titre (EN) IMPROVED SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE PERFECTIONNÉE
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic cell may include a semiconductor base, a semiconductor mesa extending from the semiconductor base, a dielectric and a conductive material. The semiconductor mesa includes a top surface and a side wall, and a first portion of the dielectric is disposed on the top surface, a second portion of the dielectric is disposed on the side wall, and a third portion of the dielectric is disposed on the base. The conductive material is disposed on the top surface of the mesa and on the dielectric, and the conductive material covers the first portion of the dielectric, the second portion of the dielectric, and a portion of the third portion.
(FR)Une cellule photovoltaïque peut comprendre une base semi-conductrice, une mesa semi-conductrice s’étendant depuis la base semi-conductrice, un diélectrique et un matériau conducteur. La mesa semi-conductrice comprend une surface supérieure et une paroi latérale, et une première partie du diélectrique est disposée sur la surface supérieure, une deuxième partie du diélectrique est disposée sur la paroi latérale, et une troisième partie du diélectrique est disposée sur la base. Le matériau conducteur est disposé sur la surface supérieure de la mesa et sur le diélectrique, et le matériau conducteur recouvre la première partie du diélectrique, la deuxième partie du diélectrique, et une partie de la troisième partie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)