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1. (WO2009117083) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117083    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001664
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 17.03.2009
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : NANOPV TECHNOLOGIES, INC.; 7526 Morgan Road Liverpool, NY 13090 (US) (Tous Sauf US).
APPADURAI, Anna Selvan, John [IN/US]; (US)
Inventeurs : APPADURAI, Anna Selvan, John; (US)
Mandataire : NEFF, Gregor N.; 489 5th Avenue 14th Floor New York, NY 10017 (US)
Données relatives à la priorité :
12/077,275 17.03.2008 US
12/077,273 17.03.2008 US
12/077,272 17.03.2008 US
12/077,271 17.03.2008 US
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)The photovoltaic structure comprises a thin film coating on a transparent substrate, the thin film comprising an effective amount of nanocrystalline silicon embedded in a matrix of amorphous and/or microcrystalline silicon. A transparent conducting oxide layer on a layer of non-conductive transparent oxide provides light-trapping capability as well as electrical conductivity where needed. A chemical vapor deposition ("CVD") reactor provides improved gas distribution to the substrates being coated in the reactor. An improved sputtering process and an improved RF plasma-enhanced CVD manufacturing method both using high levels of hydrogen in the hydrogen-silane mixture and high electrical power levels for the plasma to increase the speed and to lower the cost of manufacturing.
(FR)L'invention porte sur une structure photovoltaïque qui comporte un revêtement en couche mince sur un substrat transparent, la couche mince comportant une quantité efficace de silicium nanocristallin incorporé dans une matrice de silicium amorphe et/ou microcristallin. Une couche d'oxyde conducteur transparent sur une couche d'oxyde transparent non conducteur fournit une capacité de piégeage de la lumière ainsi qu'une conductivité électrique là où c’est nécessaire. Un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur (« CVD ») fournit une distribution de gaz améliorée aux substrats qui sont revêtus dans le réacteur. L'invention porte également sur un procédé de pulvérisation cathodique amélioré et sur un procédé de fabrication par CVD assisté par plasma RF amélioré utilisant, tous deux, des taux élevés d'hydrogène dans le mélange hydrogène-silane et des niveaux de puissance électrique élevés pour le plasma afin d'augmenter la vitesse et de diminuer le coût de fabrication.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)