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1. (WO2009117006) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE CONNEXION EN SÉRIE DE DEUX DÉS OU PUCES DANS UN BOÎTIER ÉLECTRONIQUE UNIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/117006    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/058816
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 31.03.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.01.2010    
CIB :
H01L 23/495 (2006.01)
Déposants : VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR, LLC. [US/US]; 1122 23rd Street P,O. Box 609 Columbus, Nebraska 68602-0609 (US) (Tous Sauf US).
CHOU, Ta-Te; (US) (US Seulement).
DING, Hui-Ying [CN/CN]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Yun [CN/CN]; (US) (US Seulement).
HE, Hong-Yun [CN/CN]; (US) (US Seulement).
HAO, Li-Zhu [CN/CN]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHOU, Ta-Te; (US).
DING, Hui-Ying; (US).
ZHANG, Yun; (US).
HE, Hong-Yun; (US).
HAO, Li-Zhu; (US)
Mandataire : GOLDBERG, Daniel, S.; United Plaza, 30 South, 17th Street Philadelphia, PA 19103-4009 (US)
Données relatives à la priorité :
12/050,592 18.03.2008 US
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR SERIES CONNECTION OF TWO DIE OR CHIPS IN SINGLE ELECTRONICS PACKAGE
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE CONNEXION EN SÉRIE DE DEUX DÉS OU PUCES DANS UN BOÎTIER ÉLECTRONIQUE UNIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for a two semiconductor device package where the semiconductor devices are connected in electrical series. The first device is mounted P-side down on an electrically conductive substrate. Non-active area on the P side is isolated from the electrically conductive substrate. The second device is mounted P-side up at a spaced apart location on the substrate. Opposite sides of each are electrically connected to leads to complete the series connection of the two devices. A method of manufacturing such a package includes providing an electrically conductive lead frame, mounting one device P-side up and flipping the other device and mounting it P-side down on the lead frame with non-active area of the P side isolated from the lead frame, and connecting the other side of each device to separate leads. Isolation of the non-active area of the P side of the device can be through modification of the substrate or lead frame surface by grooves or raised portions. Alternatively, it can be by adding an electrically isolating coating on the non-active area of the P-side of a semiconductor device to allow it to be mounted P side down on an electrically conductive substrate or mounting location without modification to the substrate or lead frame.
(FR)L'invention porte sur un appareil et un procédé pour un boîtier à deux dispositifs à semi-conducteur dans lequel les dispositifs à semi-conducteur sont connectés en série électrique. Le premier dispositif est monté côté P vers le bas sur un substrat électriquement conducteur. Une zone non active sur le côté P est isolée du substrat électriquement conducteur. Le second dispositif est monté côté P vers le haut en une position espacée sur le substrat. Des côtés opposés de chacun sont électriquement connectés à des broches de raccordement pour achever la connexion série des deux dispositifs. Un procédé de fabrication d'un tel boîtier comprend l'utilisation d'une grille de connexion électriquement conductrice, le montage d'un premier dispositif côté P vers le haut et le retournement de l'autre dispositif et le montage de celui-ci côté P vers le bas sur la grille de connexion avec une zone non active du côté P isolée de la grille de connexion, et la connexion de l'autre côté de chaque dispositif à des broches de raccordement séparées. Une isolation de la zone non active du côté P du dispositif peut être obtenue par la modification de la surface du substrat ou de la grille de connexion par des rainures ou des parties surélevées. En variante, elle peut être obtenue par l'ajout d'un revêtement électriquement isolant sur la zone non active du côté P d'un dispositif à semi-conducteur pour lui permettre d'être monté côté P vers le bas sur un substrat électriquement conducteur ou un emplacement de montage sans apporter de modification au substrat ou à la grille de connexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)