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1. (WO2009116867) MATÉRIAU CIBLE, SOURCE, APPAREIL LITHOGRAPHIQUE EUV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF L’UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116867    N° de la demande internationale :    PCT/NL2009/050132
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 20.03.2009
CIB :
H05G 2/00 (2006.01)
Déposants : ASML NETHERLANDS B.V. [NL/NL]; De Run 6501 NL-5504 DR Veldhoven (NL) (Tous Sauf US).
KRIVTSUN, Vladimir Mihailovitc [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
BANINE, Vadim Yevgenyevich [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
BLEEKER, Arno Jan [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
IVANOV, Vladimir Vitalevitch [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
KOSHELEV, Konstantin Nikolaevitch [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
MOORS, Johannes Hubertus Josephina [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
CHURILOV, Sergey [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
GLUSHKOV, Denis [RU/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRIVTSUN, Vladimir Mihailovitc; (RU).
BANINE, Vadim Yevgenyevich; (NL).
BLEEKER, Arno Jan; (NL).
IVANOV, Vladimir Vitalevitch; (RU).
KOSHELEV, Konstantin Nikolaevitch; (RU).
MOORS, Johannes Hubertus Josephina; (NL).
CHURILOV, Sergey; (RU).
GLUSHKOV, Denis; (DE)
Mandataire : VAN DEN HOOVEN, Jan; (NL)
Données relatives à la priorité :
61/064,720 21.03.2008 US
Titre (EN) A TARGET MATERIAL, A SOURCE, AN EUV LITHOGRAPHIC APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD USING THE SAME
(FR) MATÉRIAU CIBLE, SOURCE, APPAREIL LITHOGRAPHIQUE EUV ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF L’UTILISANT
Abrégé : front page image
(EN)A target material is configured to be used in a source constructed and arranged to generate a radiation beam having a wavelength in a 6.8 nm range. The target material includes a Gd-based composition configured to modify a melting temperature of Gd, or Tb, or a Tb-based composition configured to reduce a melting temperature of Tb.
(FR)L’invention concerne un matériau cible qui est configuré pour être utilisé dans une source construite et disposée pour générer un faisceau de rayonnement ayant une longueur d’onde se trouvant dans une plage de 6,8 nm. Le matériau cible comprend une composition à base de Gd configurée pour modifier une température de fusion du Gd, ou du Tb, ou une composition à base de Tb configurée pour réduire une température de fusion du Tb.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)