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1. (WO2009116626) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116626    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/055444
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 19.03.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.12.2009    
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
TEIJIN LIMITED [JP/JP]; 6-7, Minamihommachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410054 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIZUKA, Shogo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NIKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIDO, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HONMOTO, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIZUKA, Shogo; (JP).
NIKI, Shigeru; (JP).
KIDO, Nobuaki; (JP).
HONMOTO, Hiroyuki; (JP)
Mandataire : TANAI, Sumio; 1-9-2, Marunouchi Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-074429 21.03.2008 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solar cell in which a lower electrode layer, a photoelectric conversion layer having a chalcopyrite structure that comprises a Group Ib element, a Group IIIb element, and a Group VIb element, and an upper electrode layer are sequentially formed on a substrate, wherein said solar cell is provided with a silicate layer between the aforementioned substrate and the aforementioned lower electrode layer.
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire dans laquelle une couche d'électrode inférieure, une couche de conversion photoélectrique ayant une structure de chalcopyrite qui comprend un élément du Groupe Ib, un élément du Groupe IIIb et un élément du Groupe VIb, et une couche d'électrode supérieure sont formées de manière séquentielle sur un substrat, ladite cellule solaire comportant une couche de silicate entre le substrat mentionné ci-dessus et la couche d'électrode inférieure mentionnée ci-dessus.
(JA) 基板上に、下部電極層、Ib族元素、IIIb族元素及びVIb族元素を含むカルコパイライト構造の光電変換層、上部電極層を順次形成してなる太陽電池において、前記基板と前記下部電極層との間にケイ酸塩層を備えてなることを特徴とする太陽電池。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)