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1. (WO2009116580) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116580    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/055312
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2009
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan-Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka, 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
FUJISHIMA, Daisuke; (US Seulement)
Inventeurs : FUJISHIMA, Daisuke;
Mandataire : TERAYAMA, Keishin; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-072484 19.03.2008 JP
Titre (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solar cell comprising a photoelectric conversion part for producing a photoproduction carrier upon reception of light, a first transparent conductive film formed on a first major surface of the photoelectric conversion part, and a second transparent conductive film formed on a second major surface which is on the reverse side of the first major surface. The first major surface is composed of an n-type semiconductor layer, while the second major surface is composed of a p-type semiconductor layer. The hydrogen atom content in the n-type semiconductor layer side of the first transparent conductive film is lower than the hydrogen atom content of the second transparent conductive film.
(FR)L'invention porte sur une cellule solaire comprenant une partie de conversion photoélectrique pour produire un porteur de photoproduction lors de la réception de lumière, un premier film conducteur transparent formé sur une première surface majeure de la partie de conversion photoélectrique, et un second film conducteur transparent formé sur une seconde surface majeure qui est sur le côté inverse de la première surface majeure. La première surface majeure est composée d'une couche semi-conductrice du type n, tandis que la seconde surface majeure est composée d'une couche semi-conductrice du type p. La teneur en atomes d'hydrogène dans le côté de couche semi-conductrice du type n du premier film conducteur transparent est inférieure à la teneur en atomes d'hydrogène du second film conducteur transparent.
(JA) 太陽電池が、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部と、光電変換部の第1主面上に形成される第1透明導電膜と、第1主面の反対側に設けられる第2主面上に形成される第2透明導電膜とを備え、第1主面はn型半導体層によって形成され、第2主面はp型半導体層によって形成されており、第1透明導電膜のn型半導体層側における水素原子含有率は、第2透明導電膜の水素原子含有率よりも低い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)