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1. (WO2009116503) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116503    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/055086
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 16.03.2009
CIB :
H01S 5/022 (2006.01)
Déposants : EUDYNA DEVICES INC. [JP/JP]; 1000, Oaza Kamisukiahara, Showa-cho, Nakakoma-gun Yamanashi, 4093883 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAJI, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAJI, Kazuhiro; (JP)
Mandataire : KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building, 6-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-071655 19.03.2008 JP
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an optical semiconductor device comprising an optical semiconductor element (14), a stem (50) having a through hole (52), a wiring block (30) having an insulator (36) which is inserted into the through hole (52) so as to partially leave a non-contacted portion (54) in the inner surface of the through hole and a wiring (34) which is supported by the insulator and transmits a signal to be inputted into or outputted from the optical semiconductor element (14), and a heatsink (62) which is fixed to the stem (50) and discharges heat generated by the optical semiconductor element (14) to the stem (50).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur optique qui comprend: un élément semi-conducteur (14) optique; une tige (50) comportant un trou traversant (52); un bloc de câblage (30) comportant un isolant (36) qui est inséré dans le trou traversant (52) de manière à laisser partiellement une partie (54) non touchée dans la surface intérieure du trou traversant et un câblage (34), qui est maintenu par l'isolant et transmet un signal devant être introduit dans l'élément semi-conducteur optique (14) ou produit par celui-ci; et un dissipateur thermique (62) qui est fixé à la tige (50) et décharge la chaleur produite par l'élément semi-conducteur (14) optique vers la tige (50).
(JA) 本発明は、光半導体素子14と、貫通孔52を有するステム50と、貫通孔の内面の一部に非接触部54を有するように貫通孔52に挿入された絶縁体36と絶縁体により支持され光半導体素子14に入力または出力する信号を伝送する配線34とを有する配線ブロック30と、ステム50に固定され光半導体素子10で発生した熱をステム50に放出するヒートシンク62と、を具備する光半導体装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)