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1. (WO2009116452) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE ET D'UN ÉLÉMENT CHAUFFANT EMPLOYANT UNE COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116452    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054809
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 12.03.2009
CIB :
C04B 35/46 (2006.01), H01C 7/02 (2006.01)
Déposants : Hitachi Metals, Ltd. [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058614 (JP) (Tous Sauf US).
SHIMADA, Takeshi; (US Seulement).
INO, Kentaro; (US Seulement).
KIDA, Toshiki; (US Seulement)
Inventeurs : SHIMADA, Takeshi; .
INO, Kentaro; .
KIDA, Toshiki;
Mandataire : NAITO, Teruo; Shin-ei Patent Firm, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-071353 19.03.2008 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION AND HEATER EMPLOYING SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE ET D'UN ÉLÉMENT CHAUFFANT EMPLOYANT UNE COMPOSITION DE PORCELAINE SEMI-CONDUCTRICE
(JA) 半導体磁器組成物の製造方法及び半導体磁器組成物を用いたヒータ
Abrégé : front page image
(EN)The jumping characteristics of a BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 material are improved. Provided is a process for producing a semiconductor porcelain composition which comprises BaTiO3 and in which part of the Ba has been replaced with Bi-Na. The process comprises the steps of: preparing a (BaQ)TiO3 calcined powder (Q is a semiconductor-forming element); preparing a (BiNa)TiO3 calcined powder; mixing the (BaQ)TiO3 calcined powder with the (BiNa)TiO3 calcined powder; compacting the calcined-powder mixture and sintering the compact; and heat-treating the resultant sintered compact at 600°C or lower. Also provided is a PTC heater employing an element produced by the steps.
(FR)Les caractéristiques sautantes d'un matériau BaTiO3-(Bi1/2Na1/2)TiO3 sont améliorées. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une composition de porcelaine semi-conductrice comprenant BaTiO3, une partie de Ba ayant été remplacée par Bi-Na. Le procédé comprend les étapes consistant à : préparer une poudre calcinée de (BaQ)TiO3 (Q étant un élément formant un semi-conducteur) ; préparer une poudre calcinée de (BiNa)TiO3 ; mélanger la poudre calcinée de (BaQ)TiO3 avec la poudre calcinée de (BiNa)TiO3 ; compacter le mélange de poudres calcinées et fritter le mélange compacté ; et traiter thermiquement le mélange compacté fritté obtenu à 600°C au maximum. L'invention concerne également un élément chauffant PTC employant un élément produit selon les étapes.
(JA) BaTiO-(Bi1/2Na1/2)TiO系材料のジャンプ特性を向上させる。  BaTiOのBaの一部をBi-Naで置換した半導体磁器組成物の製造方法であって、(BaQ)TiO仮焼粉(Qは半導体化元素)を用意する工程、(BiNa)TiO仮焼粉を用意する工程、前記(BaQ)TiO仮焼粉及び前記(BiNa)TiO仮焼粉を混合する工程、混合した仮焼粉を成形し焼結する工程、得られた焼結体を600°C以下で熱処理する工程、前記工程で作製した素子を用いたPTCヒータを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)