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1. (WO2009116373) MATÉRIAU ISOLANT DE GRILLE, FILM ISOLANT DE GRILLE, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116373    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053628
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2009
CIB :
H01L 21/312 (2006.01), C08G 59/20 (2006.01), C08G 59/68 (2006.01), C09D 5/25 (2006.01), C09D 183/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi, 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1038666 (JP) (Tous Sauf US).
MURASE, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJIWARA, Takenori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
JO, Yukari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKAMOTO, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MURASE, Seiichiro; (JP).
FUJIWARA, Takenori; (JP).
JO, Yukari; (JP).
TSUKAMOTO, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-068931 18.03.2008 JP
Titre (EN) GATE INSULATING MATERIAL, GATE INSULATING FILM, AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) MATÉRIAU ISOLANT DE GRILLE, FILM ISOLANT DE GRILLE, ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ORGANIQUE
(JA) ゲート絶縁材料、ゲート絶縁膜、および有機電界効果型トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a gate insulating material having high chemical resistance and small hysteresis. A resist and an organic semiconductor coating liquid can exhibit excellent coatability to the gate insulating material. Specifically disclosed is a gate insulating material containing a polysiloxane having at least a silane compound represented by general formula (1) and an epoxy group-containing silane compound represented by general formula (2) as copolymerization components. R1mSi(OR2)4-m (1) (In the formula, R1 represents a hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, a heteroaryl group or an alkenyl group; R2 represents an alkyl group or a cycloalkyl group; and m represents an integer of 1-3.) R3nR4lSi(OR5)4-n-l (2) (In the formula, R3 represents an alkyl group or cycloalkyl group having one or more epoxy groups in a part of a chain; R4 represents a hydrogen, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, a heteroaryl group or an alkenyl group; R5 represents an alkyl group or a cycloalkyl group; l represents an integer of 0-2; n represents 1 or 2; and l + n ≤ 3.)
(FR)L'invention porte sur un matériau isolant de grille ayant une forte résistance chimique et une faible hystérésis. Un résist et un liquide de revêtement semi-conducteur organique peuvent présenter une excellente aptitude au dépôt en couche sur le matériau isolant de grille. L'invention porte spécifiquement sur un matériau isolant de grille contenant un polysiloxane ayant au moins un composé silane représenté par une formule générale (1) et un composé silane contenant un groupe époxy représenté par une formule générale (2) en tant que composants de copolymérisation. R1mSi(OR2)4-m (1) (Dans la formule, R1 représente un hydrogène, un groupe alkyle, un groupe cycloalkyle, un groupe hétérocyclique, un groupe aryle, un groupe hétéroaryle ou un groupe alcényle; R2 représente un groupe alkyle ou un groupe cycloalkyle; et m représente un entier de 1-3). R3nR4lSi(OR5)4-n-l (2) (Dans la formule, R3 représente un groupe alkyle ou un groupe cycloalkyle contenant un ou plusieurs groupes époxy dans une partie d'une chaîne; R4 représente un hydrogène, un groupe alkyle, un groupe cycloalkyle, un groupe hétérocyclique, un groupe aryle, un groupe hétéroaryle ou un groupe alcényle; R5 représente un groupe alkyle ou un groupe cycloalkyle; l représente un entier de 0-2; n représente 1 ou 2; et l + n ≤ 3).
(JA) 耐薬品性が高く、レジストや有機半導体塗液の塗布性に優れ、かつヒステリシスが小さいゲート絶縁材料を提供する。 少なくとも一般式(1)で表されるシラン化合物および一般式(2)で表されるエポキシ基含有シラン化合物を共重合成分とするポリシロキサンを含有するゲート絶縁材料である。 R Si(OR4-m (1) (ここで、Rは水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アリール基、ヘテロアリール基またはアルケニル基、Rはアルキル基またはシクロアルキル基。mは1~3の整数。) R Si(OR4-n-l(2) (ここで、Rは1つ以上のエポキシ基を鎖の一部に有するアルキル基またはシクロアルキル基、Rは水素、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アリール基、ヘテロアリール基またはアルケニル基、Rはアルキル基またはシクロアルキル基。lは0~2の整数、nは1または2。l+n≦3。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)